射頻LDMOS功率晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)器件最初作為微波雙極型晶體管替代產(chǎn)品應(yīng)用于基站,通過(guò)不斷優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和工藝,器件各方面性能得到極大提高,現(xiàn)如今射頻LDMOS器件已經(jīng)成為眾多射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域主流技術(shù)。
　　本論文旨在完成L波段射頻LDMOS晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究,特點(diǎn)在于采用具有雙層shield場(chǎng)板的槽

2、型sinker(trench sinker)射頻LDMOS結(jié)構(gòu)。槽型sinker通過(guò)在源極刻蝕貫通外延層的溝槽并填充金屬的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)背面源結(jié)構(gòu),該工藝過(guò)程不僅減少了高能離子注入推結(jié)的熱預(yù)算,而且有效減小器件面積;雙層shield場(chǎng)板不僅可以優(yōu)化器件表面電場(chǎng),而且可以減小柵極與漏極之間的反饋電容,提高器件高頻性能。
　　本文首先采用半導(dǎo)體數(shù)值分析軟件Silvaco優(yōu)化出射頻LDMOS器件的各項(xiàng)結(jié)構(gòu)參數(shù),然后根據(jù)仿真優(yōu)化的結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)

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