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文檔簡介
1、本文用基于密度泛函理論的第一性原理方法研究了4d過渡金屬氧化物SrTcO3的帶隙及應變對其帶隙的影響。研究發(fā)現(xiàn),GGA+U(U=2.3eV,J=0.3eV)計算得到SrTcO3中Tc的局域磁矩為2.10μB,與實驗結果一致。相應的光學帶隙值為1.61eV,能帶結構計算表明該帶隙是直接帶隙,有希望用作太陽能電池材料。出于應用的目的,我們研究了應變對SrTcO3光學帶隙的影響。發(fā)現(xiàn)受到較小的壓縮應變(不大于1.58%)時,其光學帶隙保持直接
2、帶隙的特征,帶隙值變化不大(在1.533eV~1.586eV之間),接近Shockley-Queisser公式給出的最優(yōu)帶隙值。因此,SrTcO3在制備高效太陽能電池方面極具潛力。當壓縮應變大于1.58%,帶隙從直接帶隙變?yōu)殚g接帶隙,不利于高效吸收太陽能。此外,我們還結合密度泛函理論與海森堡模型,計算了SrTcO3的奈爾溫度,并研究了應變對奈爾溫度的影響。結果發(fā)現(xiàn),當SrTcO3受到1.41%的壓縮應變時,其奈爾溫度達最大值1410K,
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