高頻振動時效消除聚合物光刻膠薄膜應力的研究.pdf

1、高頻振動時效技術(shù)消除聚合物光刻膠薄膜的應力，克服了傳統(tǒng)時效方法的應力消除周期長、工藝參數(shù)復雜、實驗條件要求嚴格等缺點，為快速有效的制備低應力聚合物光刻膠薄膜提供了一種新方法。
　　第一章概述了論文的研究意義和研究內(nèi)容。首先，指出了聚合物光刻膠薄膜在MEMS器件制作領(lǐng)域的廣泛應用;其次，分析了光刻膠薄膜的應力產(chǎn)生原因及危害，指出了消除薄膜應力的重要意義;再次，評述了光刻膠薄膜應力消除的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀;最后，論述了高頻振動時效消除聚合

2、物光刻膠薄膜應力的意義，以AZ4620薄膜為例，簡述了論文的主要研究內(nèi)容。
　　第二章研究了高頻振動時效機理及實驗裝置的組建。首先，從光刻膠薄膜交聯(lián)網(wǎng)絡的形成和高頻振動能量改變分子鏈形態(tài)來分析時效機理;其次，組建了用于薄膜振動時效的高頻激振裝置;最后，分析了表面輪廓法測量薄膜應力的原理，組建了用于測量薄膜應力的輪廓法薄膜應力測量裝置。
　　第三章研究了聚合物光刻膠薄膜實驗參數(shù)的確定。首先，概述了AZ4620光刻膠薄膜的制備工

3、藝流程，并用厚度為29.3μm的膠膜作為時效樣品;其次，采用應力消除率參數(shù)來判定時效效果;最后，根據(jù)樣品的模態(tài)仿真結(jié)果及激振裝置的性能完成激振頻率的確定，通過分析時效時間、激振功率與應力消除率的關(guān)系，選定實驗時效時間14 min、激振功率20 W。
　　第四章研究了高頻振動時效的激振參數(shù)對AZ4620薄膜應力消除率的影響。首先，研究了樣品的模態(tài)仿真結(jié)果與應力消除率的對應關(guān)系，并根據(jù)激振加速度與應力消除率的關(guān)系確定了激振加速度臨界值

4、為8g;其次，根據(jù)時效規(guī)律，對薄膜在混合頻率激振6932 Hz、4524 Hz、2581 Hz、1114 Hz、激振電流5A、時效56 min下振動時效，獲得最佳應力消除率為69.28％;最后，分析了薄膜厚度及振動時效的熱作用對應力消除率的影響。
　　第五章以PI光刻膠為例，研究了高頻振動時效對其它聚合物光刻膠薄膜應力消除的適用性。首先，概述了PI薄膜的制備參數(shù)及其模態(tài)分析;其次，基于正交實驗結(jié)果及AZ4620薄膜的應力消除規(guī)律選