已閱讀1頁，還剩53頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、光子晶體是由不同介電常數(shù)的周期性電介質(zhì)材料組成的，由于其獨特的光子禁帶性質(zhì)，廣泛應(yīng)用在光學(xué)器件、光集成、探測和紅外傳感器等領(lǐng)域。目前多種制備方法中，光電化學(xué)腐蝕法以其低成本、工藝簡單、制作周期短和可控性強(qiáng)等優(yōu)點，具有更實際的應(yīng)用價值。
本文采用三角晶格排列的掩膜板結(jié)構(gòu)，應(yīng)用硅光電化學(xué)腐蝕與半導(dǎo)體微細(xì)加工工藝相結(jié)合的方式，在n型（100）晶向背面磷摻雜的硅襯底上制備三維光子晶體。研究了腐蝕時間與通道長度的關(guān)系以及光電流與孔徑的關(guān)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 三維光子晶體的制備研究.pdf
- 38662.三維光子晶體制備與模擬仿真研究
- DCG全息光子晶體制備技術(shù)研究.pdf
- 三維光子晶體的制備及在光子晶體中引入無序效應(yīng)的研究.pdf
- 氮化硅薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)與多孔硅基一維光子晶體制備研究.pdf
- 基于多層介質(zhì)膜的三維光子晶體設(shè)計與制備.pdf
- 三維芯片過硅通孔容錯技術(shù)研究.pdf
- 基于多孔硅的一維光子晶體研究.pdf
- 硅基二維光子晶體光電化學(xué)制備技術(shù)研究.pdf
- TiO2三維光子晶體制備及其與激光相互作用.pdf
- 三維芯片綁定后過硅通孔測試技術(shù)研究.pdf
- 光子晶體的理論和制備技術(shù)研究.pdf
- 基于硅通孔的高速三維集成電路關(guān)鍵設(shè)計技術(shù)研究.pdf
- 三維集成電路硅通孔容錯技術(shù)研究.pdf
- 圓柱形三維光子晶體的制備及其光學(xué)特性.pdf
- 三維膠體晶體及有序大孔材料的制備研究.pdf
- 三維硅光子集成關(guān)鍵技術(shù)的研究探索.pdf
- 自組裝制備NiO-SiO-,2-三維光子晶體的研究.pdf
- 鎳光子晶體制備及其性能研究.pdf
- 三維集成電路綁定前硅通孔測試技術(shù)研究.pdf
評論
0/150
提交評論