硅基MEMS三維結構濕法腐蝕技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了滿足MEMS發(fā)展的需求,依據Si的各向異性腐蝕特性所發(fā)展起來的濕法腐蝕工藝在制作MEMS器件的過程中發(fā)揮了巨大的作用。與干法刻蝕相比較,濕法刻蝕技術的加工成本更為低廉,且工藝制作過程也相對簡單。本文對硅材料的各向異性腐蝕機理及特性進行了深入分析,并以此為基礎進行了硅基MEMS濕法工藝技術研究。通過對BN-303光刻膠的工藝優(yōu)化,發(fā)現(xiàn)BN-303光刻膠對前烘溫度較為敏感,摸索出一套優(yōu)化光刻工藝為:在其它光刻工藝條件固定的情況下,最佳前

2、烘溫度為80℃,保溫30min,經深腐蝕后得出較好的圖形,對于后序的掩膜和圓形陣列刻蝕起到至關重要的作用,也為微器件加工提供一些可靠的工藝參考。 在KOH與IPA混合腐蝕液腐蝕系統(tǒng)中,為了得出類圓形深槽MEMS三維結構,通過對不同導電類型及電阻率的實驗分析與探討,總結出對于N型導電類型,電阻率為3×10<'-3>~9×10<'-3>Ω.cm的硅基片,在腐蝕過程中,IPA抑制(110)面腐蝕速率,使(110)面成為腐蝕演進面,并且

3、(100)底面平整。通過對不同含量IPA對三維結構的影響分析,在5M(mol/L)KOH溶液中,20vol%IPA是影響(110)面腐蝕速率的極值點,低于該值不能完全阻擋OH<'->活性離子接近(110),而高于該值,由于色散力的存在,削弱了IPA對(110)面的吸咐作用,不能抑制V<,(110)>。并且對不同濃度KOH、不同腐蝕時間對MEMS三維結構的影響作了深入分析與探討。 利用各向異性腐蝕濕法工藝制作了類圓形陣列,嘗試結合

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