3300V-1200A焊接型IGBT器件的建模及開關(guān)特性研究.pdf

1、由于IGBT不僅具有MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快，而且還具有GTR飽和壓降低的優(yōu)點(diǎn)，其作為一種新型的電力電子器件獲得了廣泛的應(yīng)用。近年來(lái)對(duì)IGBT的研究工作也成為熱點(diǎn)，自從80年代絕緣柵雙極型晶體管IGBT問(wèn)世以來(lái)，它的仿真模型的建立一直受到人們的廣泛關(guān)注，國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)仿真模型的研究相繼開展。本文以國(guó)家電網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院自主研制的一款3300V/1200AIGBT模塊為對(duì)象，對(duì)其進(jìn)行建模及開關(guān)特性研究。在調(diào)研了大量的IGBT建模方

2、法的基礎(chǔ)上分類并選擇了對(duì)于電氣工程師而言較為靈活且容易修正的行為模型，該模型的建立以測(cè)試為基礎(chǔ)并且易于實(shí)現(xiàn)。
　　本文首先介紹了IGBT的物理結(jié)構(gòu)及工作原理，并對(duì)其靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行分析，在用Agilent B1505A功率器件分析儀以及LEMSYS動(dòng)靜態(tài)測(cè)試儀測(cè)得了轉(zhuǎn)移特性曲線、輸出特性曲線及電容特性曲線，在Saber中建立了靜態(tài)模型及動(dòng)態(tài)模型，并在標(biāo)準(zhǔn)仿真電路中進(jìn)行了驗(yàn)證。隨后從理論出發(fā)分析了IGBT的開通及關(guān)斷過(guò)程，并且