一種1200V場截止型IGBT的優(yōu)化設計與測試.pdf

1、隨著國內經(jīng)濟的高速增長，新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，能源也必須獲得更高效的利用。因此需要對現(xiàn)有的功率器件進行改進，從而降低器件自身能耗，使得能源消耗減少。而絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）作為一種擁有高耐壓，低導通壓降等優(yōu)良電學特性的功率器件，在電力電子領域中發(fā)揮著重要作用，擁有廣闊的應用前景。然而由于國內目前比較欠缺新一代IGBT技術（如場截止技術，溝槽柵技術），導致在很多關乎到國計民生的領域中受制于人，亟需IGBT技術的國產(chǎn)化?；诖?，對I

2、GBT場截止技術的研究有著重大意義。而針對IGBT的場截止技術的研究，本文重點探討場截止層的濃度分布，其主要內容為：
　　1.簡單概述IGBT的基本理論以及各項新技術的發(fā)展：如場截止技術，載流子存儲技術，注入增強技術等，并重點分析場截止技術中器件結構參數(shù)對性能的影響，從而對器件的優(yōu)化進行理論指導。
　　2.為了確定器件的正面結構，先在現(xiàn)有的工藝條件下，確定了工藝流程。接下來利用仿真軟件Sentaurus TCAD進行了120

3、0VNPT-IGBT的工藝建模并進行電學參數(shù)特性模擬以便優(yōu)化器件結構的正面參數(shù)并作為對比對象與后續(xù)器件結構進行對比。
　　3.在已經(jīng)確定的正面工藝模型的基礎上，通過模擬場截止（FS）層的濃度分布（雙峰分布）進行結構背面建模，并與實際流片測試結果進行比對來驗證建立的模型的準確性。
　　4.將建立好的 FS-IGBT模型的電學特性模擬結果與NPT-IGBT進行對比從而便于探討場截止技術的優(yōu)劣之處以及后續(xù)對工藝流程和參數(shù)的改進，為