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文檔簡介
1、絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是非常重要的一類電力電子器件，能很好應(yīng)用于多種領(lǐng)域。我國對IGBT的需求量很大且增長迅速，但國內(nèi)IGBT的研究起步較晚，雖然最近幾年取得了一些重大突破，但是產(chǎn)品仍然存在品種單一、可靠性不足的缺點，因此對IGBT的研究意義十分重大。
本文首先介紹了IGBT基本原理和三大特性（阻斷特性、導(dǎo)通特性、開關(guān)特性），然后以提高IGBT的抗閂鎖能
2、力為目標(biāo)，分析IGBT閂鎖的原理，介紹了多種常見的抗閂鎖設(shè)計，提出了一種具有二氧化硅阻擋層的新型抗閂鎖IGBT。新型 IGBT原理是在 P-base下方引入一段“L”形的二氧化硅，來限制空穴電流的流動，提高IGBT的抗閂鎖能力。以600V電壓為例，對這種新型IGBT的內(nèi)部元胞參數(shù)和二氧化硅阻擋層參數(shù)，分別進行了理論分析和仿真優(yōu)化，仿真結(jié)果表明新型IGBT的抗閂鎖能力大大優(yōu)于傳統(tǒng)IGBT。文中最后還對新型IGBT的工藝步驟進行了設(shè)計，提出
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