IGBT器件的低開關(guān)損耗驅(qū)動技術(shù)研究.pdf

1、IGBT作為電力電子領(lǐng)域的常用開關(guān)器件，主要應(yīng)用領(lǐng)域是中高頻開關(guān)設(shè)備，隨著工作頻率的提升，由于寄生電感的存在，器件的開關(guān)損耗變大，通過優(yōu)化IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計來降低IGBT器件功耗是IGBT應(yīng)用領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。本文基于對IGBT器件的基本工作原理和開關(guān)損耗產(chǎn)生原因的分析，歸納了 IGBT驅(qū)動技術(shù)的基本要求，提出了一種適用于中高頻IGBT器件的驅(qū)動器設(shè)計方案，通過閉環(huán)反饋控制回路動態(tài)調(diào)整IGBT的驅(qū)動電流，減少器件的開關(guān)損耗。論文主

2、要工作有：
　　介紹了IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性，詳細(xì)分析了IGBT開關(guān)過程中的器件參數(shù)變化，結(jié)合器件開關(guān)損耗產(chǎn)生機(jī)理，得到IGBT驅(qū)動電路的主要參數(shù)要求。
　　以IGBT驅(qū)動要求及參數(shù)指標(biāo)為基礎(chǔ)，降低IGBT器件瞬態(tài)功耗為目的，通過減少驅(qū)動電流充放電時間與輸入輸出信號延時等方法，設(shè)計了基于CMOS工藝的IGBT驅(qū)動電路，包括輸入接口電路、電平轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動單元電路和輸出信號反饋回路等功能模塊。
　　最后通過Ca