IGBT并聯(lián)直流開關(guān)的均流技術(shù)研究.pdf

1、直流大電流開關(guān)在脈沖功率技術(shù)中具有重要的應用,目前得到使用的大電流開關(guān)有機械式開關(guān)、真空開關(guān)、爆破式開關(guān)、半導體開關(guān)等,各種開關(guān)根據(jù)分斷電流的等級和各自的動作時間應用于不同工作場合。其中半導體開關(guān)自從上世紀50年代問世以來,由于功率半導體技術(shù)的進步,單個半導體開關(guān)的電壓和電流容量越來越大,利用多個半導體開關(guān)的串、并聯(lián)制作高壓、高電流的直流開關(guān)得到了很大程度的研究和應用。
　　本文使用主流的功率半導體器件IGBT直接并聯(lián)構(gòu)成脈沖式直

2、流大電流開關(guān),作者首先調(diào)研了國內(nèi)外一些IGBT并聯(lián)的應用、均流的方法,如支路串聯(lián)小電阻或扼流圈、柵極電阻調(diào)節(jié)、柵極電壓調(diào)節(jié)、觸發(fā)前后沿調(diào)節(jié)。隨后較全面的掌握一些IGBT的物理原理、電氣特性及其驅(qū)動和保護,根據(jù)前人對IGBT的數(shù)值分析研究結(jié)果提煉出工程分析表達式,借助此表達式來說明各種均流方式的原理和作用。最后在以上工作的基礎上設計和加工了一個測試開關(guān),該測試開關(guān)綜合考慮了電路布局和結(jié)構(gòu)、電磁干擾、IGBT的散熱條件等。
　　在測試