高性能CMOS運算放大器應用研究與設計.pdf

1、從二十世紀后期開始，信息和電子技術領域發(fā)生了革命性的進步和飛速發(fā)展，作為信息和電子產(chǎn)業(yè)的核心元器件，集成電路有力的推動和促進了便攜式消費電子等新型技術的進步和發(fā)展。運算放大器是模擬集成電路中非常重要的部分，由于各項技術的飛速發(fā)展，對運算放大器的性能也有了更高的要求。
　　本文提出的高性能CMOS運算放大器，用±0.9V的供電電壓的兩級運放結(jié)構(gòu)，采用改進的彌勒補償方式，通過增加一個額外的電路分支，將補償電容與電阻和運算放大器的第二級

2、分離開，產(chǎn)生了一個主極點，一個左半平面零點以及一個非主極點。提高了電路的穩(wěn)定性，獲得了更大的單位增益帶寬以及更高的電源抑制比;利用該兩級運算放大器，本文設計了一個帶隙基準電壓源，采用Neuteboom電壓源結(jié)構(gòu)，并利用不同溫度系數(shù)的電阻對基準電壓源的輸出電壓與溫度關系曲線進行曲率校正。利用Cadence仿真工具，分別在tt，ff，ss三個工藝角下對輸出電壓與溫度的關系、輸出電壓與電源電壓的關系、啟動時間、電源抑制比等性能進行了仿真。在前

3、端仿真結(jié)束后，繪制了運算放大器及帶隙基準電壓源的版圖，通過了設計規(guī)則檢查及版圖原理圖匹配后，完成了后端仿真。
　　本文設計的運算放大器增益達91.39dB，電源抑制比111.8dB，單位增益帶寬26MHz，功耗68μW。利用該運算放大器設計的帶隙基準電壓源，進行曲率校正之后，在ff、 tt、ss三個工藝角下仿真得到的溫漂系數(shù)分別為4.25ppm/℃、5.69ppm/℃、7.18ppm/℃。在tt工藝角下，輸出電壓1.17V，電源抑