憶阻交叉陣列在邏輯門(mén)和圖像識(shí)別中的應(yīng)用研究.pdf

1、隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛速發(fā)展，邏輯電路和圖像識(shí)別在很多領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)用，時(shí)代的發(fā)展對(duì)這些電路的性能提出了更高的要求。憶阻器，作為新生代的阻變存儲(chǔ)器件，具備讀寫(xiě)速度快、功耗低、非易失性存儲(chǔ)、尺寸小等優(yōu)點(diǎn)，它能實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和處理信息方式的轉(zhuǎn)變，提高計(jì)算機(jī)工作功效，強(qiáng)大的促進(jìn)計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)改變。得益于憶阻器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與CMOS工藝有較強(qiáng)的兼并性，憶阻器在大容量存儲(chǔ)器方面有著極其誘人的應(yīng)用前景，憶阻器技術(shù)在解決圖像識(shí)別問(wèn)題中可發(fā)揮積極作用，也值得深入

2、探討和研究。
　　本文首先簡(jiǎn)述了憶阻器的發(fā)展和研究現(xiàn)狀，對(duì)憶阻的工作機(jī)理進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹，分析了常用的實(shí)物模型，闡述了其工作原理和各自特性以及反串聯(lián)憶阻開(kāi)關(guān)CRS，基于仿真得到的伏安曲線，分析了CRS的相關(guān)特性；其后闡述了交叉陣列中的漏電流問(wèn)題和解決方案，并設(shè)計(jì)了基于純憶阻器的邏輯門(mén)電路結(jié)構(gòu)，以反串聯(lián)CRS作為輸入，并聯(lián)連接，單個(gè)憶阻器作為輸出，并將邏輯運(yùn)算結(jié)果存儲(chǔ)在輸出憶阻中，實(shí)現(xiàn)了與、與非、或、或非和非五種邏輯運(yùn)算。本文還介紹