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文檔簡介
1、多層陶瓷電容器是軍用電子設備中重要的電子元件。隨著軍用電子設備要求不斷提高,工作環(huán)境越來越苛刻,保證多層陶瓷電容可靠性成為了一個亟待解決的問題。本文利用現代微觀分析手段(主要包括掃描電子顯微鏡和X射線能譜儀)對多層陶瓷電容器相關質量問題進行了研究和總結,并利用計算機編程語言開發(fā)多層陶瓷電容器數據庫軟件。
利用掃描電子顯微鏡的二次電子成像方式對瓷粉和燒結后的陶瓷介質進行分析,背散射電子像成像方式對端電極錫鉛層進行觀察。使用X射線
2、能譜儀的線掃描和面掃描模式對鍍層和介質擊穿失效位置的分析。通過以上分析所得到的相關信息都有助于提高產品的質量。
對多層陶瓷電容器端電極質量相關問題進行了分析,主要涉及了端電極污染、焊接失效和電鍍工藝。經過微觀分析和進一步的討論可知:端電極的污染物是在端燒結過程中,殘留在燒成板和燒結爐中的鈦鍶鉍系介質材料引入的;焊接失效和鍍層脫落樣品的端電極中玻璃相溢出明顯,導致后期電鍍異常,最終表現為脫端現象;在電鍍錫工藝中,錫結晶情況隨電鍍
3、位置變化,最終找到了合適的電鍍位置。
針對多層陶瓷電容器內電極分叉現象,對問題樣品的內電極、陶瓷介質和端電極銀漿料進行了微觀分析。深入討論了引起分叉現象的原因和機理。內電極分叉現象并不是發(fā)生在鑲樣制備和生坯切割過程,而是發(fā)生在銀漿燒結過程中。1187型銀漿在800℃和850℃下燒結均出現分叉現象,而p212型銀漿在不同燒結溫度下均未出現分叉現象且與內電極結合良好。1187型銀漿與陶瓷介質匹配性不佳,且該試樣內電極與陶瓷介質間殘
4、余應力較大,使得銀漿中的玻璃相容易滲入陶瓷介質形成分叉。
在長期的多層陶瓷電容器微觀分析工作中,積累了大量的分析案例。為了更加有效地管理這些分析案例,利用面向對象語言C++和結構化查詢語言SQL,結合使用微軟基礎類庫MFC,在VC6.0和SQL Server2005環(huán)境下開發(fā)實現了多層陶瓷電容器數據庫軟件。該數據庫軟件實現了對所有分析案例的閱讀、查詢、添加、刪除和修改。
通過以上工作,對多層陶瓷電容器端電極相關質量問
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