SiO2空心球及氧化石墨烯協(xié)同改性聚酰亞胺低介電常數(shù)復(fù)合薄膜的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路尺寸不斷縮小，互連寄生的電容引起的延遲、串擾和功耗已經(jīng)成為制約高速、高密度、低功耗和多功能集成電路發(fā)展的瓶頸。采用低介電常數(shù)介質(zhì)薄膜作為層間介質(zhì)以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的SiO2介質(zhì)來降低封裝材料和印刷電路板材料的介電常數(shù)，是解決這一問題的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文旨在利用SiO2空心球(Silica hollow spheres,SHS)與氧化石墨烯(Graphene Oxide, GO)協(xié)同改性聚酰亞胺(Polyimide,PI)，并結(jié)合靜電

2、紡絲工藝制備低介電常數(shù)復(fù)合薄膜。
　　本文以改進的Hummers法制備GO，用4,4’-二胺基二苯醚(4,4’-oxybisbenzenamine,ODA)對其進行改性，采用改進的stber法制備SHS。通過原位分散法制備GO/PI、ODA-GO/PI與SHS/ODA-GO/PI復(fù)合薄膜；并結(jié)合靜電紡絲工藝制備三層結(jié)構(gòu)SHS/ODA-GO/PI復(fù)合薄膜。表征了GO、ODA-GO及SHS/ODA-GO復(fù)合粉體形貌與結(jié)構(gòu)及其與PI復(fù)合

3、薄膜的介電性能、熱穩(wěn)定性、力學(xué)性能。
　　對ODA-GO/PI復(fù)合薄膜的研究結(jié)果表明：當GO填充量為0.3 wt％時，ODA-GO/PI復(fù)合薄膜的介電常數(shù)低至2.35(較純PI薄膜降低31%)，并且復(fù)合薄膜的介電損耗也略有降低。ODA-GO使復(fù)合薄膜的力學(xué)性能有明顯提升，摻雜量為0.7 wt%時，ODA-GO/PI復(fù)合薄膜的斷裂伸長率與拉伸強度為21.24%(是純PI的2.3倍)與101.69 MPa(是純PI的1.3倍)；GO的

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