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文檔簡介
1、基于CMOS工藝的極化調(diào)制射頻功率放大器具有高效率和高線性度的特點,應(yīng)用于終端設(shè)備不僅可以提高數(shù)據(jù)率、降低功耗,還可以實現(xiàn)單芯片多模式的低成本解決方案。然而由于擊穿電壓、襯底耦合等問題,使用CMOS工藝設(shè)計高性能射頻功率放大器還有諸多挑戰(zhàn)。
本文設(shè)計的基于CMOS的極化調(diào)制射頻功率放大器由線性輔助開關(guān)放大器作為包絡(luò)放大器,由堆疊型差動E類放大器作為相位放大器。
在包絡(luò)放大器設(shè)計上,本文使用板級驗證電路對LTE信號包絡(luò)
2、的時域和頻域特性進行分析,用于指導(dǎo)包絡(luò)放大器指標(biāo)分配,總結(jié)開關(guān)頻率與環(huán)路延時和放大器帶寬的關(guān)系,為效率優(yōu)化提供理論基礎(chǔ)。最終設(shè)計的線性輔助開關(guān)放大器由具有局部反饋的AB類放大器和具有邊沿控制驅(qū)動的低頻開關(guān)放大器構(gòu)成,在3.3V供電電壓下,輸出電壓范圍為0.3V-3V,電流能力高達600mA,最高效率為91%,環(huán)路帶寬為98MHz和小于20mV峰峰值的開關(guān)紋波。
相位放大器設(shè)計,包含堆疊型差動E類射頻放大器的輸出級和驅(qū)動級設(shè)計。
3、輸出級設(shè)計主要考慮可靠性,驅(qū)動級設(shè)計主要考慮降低功耗。本文設(shè)計的相位放大器具有提高低輸出功率下效率的功率控制結(jié)構(gòu),在輸出功率為1210mW時,效率為70.5%,諧波控制在-60dBc以下。本文使用HJ0.18μm CMOS工藝設(shè)計了相位放大器驗證電路,已流片,測試結(jié)果顯示與理論相符。
本文對極化調(diào)制射頻功率放大器的物理設(shè)計與驗證進行了討論,包括版圖、封裝和測試方案設(shè)計。在放大20Mbps碼率的16QAM信號,輸出29.8dBm
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