硫化氫氣體吸附對氧化鎢納米線電學(xué)性能調(diào)控研究.pdf

1、現(xiàn)代科技的核心力量便是納米科技。一維納米材料因其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，成為構(gòu)筑納米元器件的理想材料。在眾多納米材料中，WO3因其在電致色變、氣敏傳感器、阻變存儲器和超導(dǎo)方面有著顯著的特性，受到廣泛的關(guān)注與研究。本文在室溫下測試了多種氛圍對WO3納米線電學(xué)性能的影響，對WO3納米線表現(xiàn)出的憶阻效應(yīng)進行了深入研究。通過多次實驗，我們發(fā)現(xiàn)WO3納米線所表現(xiàn)出的憶阻性能是可以被調(diào)控的。主要研究結(jié)果如下:
　　1、本文使用的WO3

2、納米線，是通過水熱法得到的單分散性好的納米線。我們對所制備的WO3納米線進行了表征（包括XRD，SEM，EDS等），并利用深紫外光刻微加工技術(shù)將其構(gòu)建成一維納米器件。
　　2、室溫下，我們在空氣和真空環(huán)境中通過不同電壓對WO3納米器件進行循環(huán)伏安法測試，發(fā)現(xiàn)其為雙端歐姆接觸，并在大電壓下表現(xiàn)出良好的憶阻效應(yīng)。實驗中通過恒壓加脈沖的測試方法更直觀地觀察到了憶阻特性。
　　3、在室溫下測試了WO3一維納米器件在H2S氣氛中以及大

3、氣中的電學(xué)性能。發(fā)現(xiàn)在H2S氣氛下WO3納米器件電導(dǎo)有所增加，憶阻性能減弱。與此同時，做了同族元素化合物H2O氣氛下（即不同濕度下）的對比實驗。發(fā)現(xiàn)在H2O的影響下WO3納米器件電導(dǎo)減小，憶阻性能減弱。
　　4、本文還通過改變測試條件實現(xiàn)了對WO3納米線器件憶阻性能的控制，不僅能改變憶阻特性大小，還能將WO3納米線的憶阻特性進行反轉(zhuǎn)，即將原I-V曲線表現(xiàn)為上相交的“8”字形改變?yōu)橄孪嘟坏摹?”字形。
　　我們希望在后續(xù)的研究