氧化鎢納米線薄膜定域生長(zhǎng)技術(shù)研究.pdf

1、納米材料在20世紀(jì)80年代發(fā)展起來的一種具有全新結(jié)構(gòu)的材料，由于其顯著的表面效應(yīng)，量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)等，納米材料表現(xiàn)出奇異的力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)和化學(xué)特性。在生產(chǎn)和高科技領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。納米材料的制備技術(shù)及應(yīng)用研究在納米科學(xué)研究中占據(jù)極為重要的地位。 一維納米材料是場(chǎng)致電子發(fā)射材料的研究熱點(diǎn)。本論文以本研究組發(fā)展的熱蒸發(fā)法制備一維納米材料的方法，從場(chǎng)發(fā)射冷陰極應(yīng)用角度出發(fā)，研究氧化鎢納米線薄膜低溫制備

2、和定域生長(zhǎng)技術(shù)。通過發(fā)展技術(shù)，在硅片襯底及ITO玻璃襯底上實(shí)現(xiàn)了低溫制備氧化鎢納米線薄膜；通過引入模板法，在硅片襯底及ITO玻璃襯底上實(shí)現(xiàn)了定域生長(zhǎng)氧化鎢納米線薄膜，制備間距為0．2 mm的氧化鎢納米線冷陰極陣列，達(dá)到20英寸VGA場(chǎng)發(fā)射平板顯示要求。 同時(shí)，利用SEM、TEM、XRD和Raman等手段對(duì)所制備的氧化鎢納米線薄膜進(jìn)行了形貌和成分的分析；利用透明陽極法對(duì)氧化鎢納米線薄膜陣列進(jìn)行場(chǎng)發(fā)射性能測(cè)試，獲得開啟電場(chǎng)為4．5