貴金屬摻雜硅基多孔硅-氧化鎢納米線氣敏傳感器的研究.pdf

1、三氧化鎢是一種重要且被廣泛研究的金屬氧化物材料，尤其是在傳感器領(lǐng)域。為提高氣敏性能，可在結(jié)構(gòu)精細(xì)化、結(jié)構(gòu)復(fù)合化、元素?fù)诫s改性方面入手。本文以多孔硅為復(fù)合基底，引入貴金屬金對(duì)三氧化鎢納米線進(jìn)行調(diào)制改性，制得貴金屬摻雜硅基多孔硅氧化鎢納米線氣敏傳感器，最后對(duì)復(fù)合結(jié)構(gòu)進(jìn)行了氣敏性能測(cè)試。多孔硅作為一種具有優(yōu)異特性的基底常用來制備納米線或納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過一種簡(jiǎn)易的電化學(xué)腐蝕方法即可制得多孔硅，孔徑的大小可以通過調(diào)節(jié)電解質(zhì)溶液配比、PH值和腐

2、蝕電流實(shí)現(xiàn)可控。
　　本文首先在多孔硅基底上通過磁控濺射的方法淀積金屬鎢薄膜，隨后在管式爐中熱處理，生長(zhǎng)獲得硅基多孔硅/氧化鎢納米線復(fù)合結(jié)。得到了單斜結(jié)構(gòu)并且在<001>方向上擇優(yōu)生長(zhǎng)的WO3納米線，并測(cè)試對(duì)2ppm NO2氣敏性能表現(xiàn)。其后通過濺射的方法引入納米金顆粒修飾氧化鎢納米線，微觀分析表明，氧化鎢納米線長(zhǎng)300-500納米，直徑約10-25納米。高分辨率透射電鏡分析表明，納米金顆粒均勻分布在氧化鎢納米線上。氣敏性能測(cè)試可