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文檔簡介
1、近年來隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展和人類環(huán)保意識的增強,氣敏傳感器的研究越來越受到人們的重視。多孔硅作為一種室溫氣敏材料,由于其簡單的制備方法和獨特的微觀結(jié)構(gòu),被廣泛研究用于低功耗室溫氣敏傳感器;而氧化鎢由于較好的氣敏性能也受到越來越到的關(guān)注。本文在研究了n型有序多孔硅的制備和氣敏特性的基礎(chǔ)上,對n型有序多孔硅與氧化鎢薄膜復合結(jié)構(gòu)的氣敏性質(zhì)和機理進行了研究。
利用雙槽電化學腐蝕法制備孔徑在50-200nm左右的n型多孔硅并進行了氣敏測試
2、。實驗結(jié)果表明,多孔硅孔徑和厚度都會隨著電流密度的增大而增大,電流密度較小時主孔會分支出側(cè)孔,電流密度為120mA·cm-2時形成孔壁比較光滑的有序多孔硅,當腐蝕電流密度超過140 mA·cm-2時就形成電拋光;腐蝕時間的增長主要引起多孔硅層厚度的增大,也會使孔徑稍微變大,更加光滑。電流密度120 mA·cm-2腐蝕時間25min的樣品對1ppmNO2和50ppmNH3靈敏度分別是3.37和5.09。
以有序多孔硅為基底,在其
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