基于氧化鎢納米線薄膜的高性能氫氣傳感器的探索性研究.pdf

1、氫氣作為一種潔凈可再生的能源,在不遠的將來可能會得到廣泛應用。然而,氫氣是一種易燃易爆的危險性氣體,使用氫氣傳感器來監(jiān)控氣體泄漏是必不可少的。目前氫氣傳感器正朝著常溫工作、高氫氣傳感選擇性、高靈敏度的方向發(fā)展。催化劑修飾的氧化鎢能對氫氣表現(xiàn)出電導增大的現(xiàn)象,并且不需外部加熱條件也能發(fā)生,這在常溫氫氣傳感上具有良好的應用潛力。
　　 本論文首先對氣敏傳感領域的相關知識做了詳盡的調研和介紹,例如半導體金屬氧化物氣敏器件的發(fā)展歷史、經

2、典的傳感理論和常用的實驗研究方法等。接著,本論文重點圍繞氧化鎢納米線的氫氣感應行為進行研究。論文工作中使用的納米線系列包括Pt濺鍍的WO3(Pt-WO3)納米線薄膜,以及Pt濺鍍的W18O49(Pt-W18O49)納米線薄膜。首先,我們以Pt-WO3納米線薄膜為對象,研究其氫氣感應現(xiàn)象。隨后,我們發(fā)展研制出基于Pt-W18O49納米線薄膜的自加熱氫氣傳感原型器件,并探索了基于此器件的潛在應用。
　　 本論文主要研究成果可概括如下

3、:
　　 1.系統(tǒng)地研究了Pt-WO3納米線薄膜在非外部加熱環(huán)境下的氫氣感應行為,提出了Pt-WO3納米線對氫氣感應的物理模型。目前,盡管氧化鎢薄膜的氫致電導增加現(xiàn)象已經有了一些報道,但是氫氣氣敏機制仍然沒有研究透徹,仍然存在一些重要問題有待解決。首先,氫氣導致WO3電導增大的物理因為尚沒有解釋清楚。其次,大部分研究忽略了空氣中的氧氣的共吸附對WO3氫氣氣敏的影響?；谝陨弦驗?我們對鍍Pt的WO3(Pt-WO3)納米線薄膜的氫

4、氣感應機理進行探索。我們首先通過電特性測量、拉曼、光透射譜等技術輔助,研究納米線薄膜在接觸氫氣之后的物理特性變化情況。在實驗中我們發(fā)現(xiàn),納米線樣品在不需要外部加熱的條件下就能對氫氣表現(xiàn)出可逆的電導增大現(xiàn)象。除此之外,納米線薄膜曝露于氫氣后對光的吸收增強。其次,我們利用真空中嚴格控制氣氛的方法來研究Pt-WO3納米線薄膜的氫氣氣敏行為,特別關注O2共吸附對電導的影響。由于高純單質氣氛得到控制,我們就能細致地研究納米線薄膜樣品受不同氣體吸附

5、而產生的電特性效果。我們發(fā)現(xiàn)在Pt-WO3納米線薄膜的氫氣氣敏過程中,空氣中氧氣共吸附作用會降低氫氣的還原效率。結合這些實驗結果,我們提出了Pt-WO3納米線薄膜的氫氣感應模型。在氫氣感應過程中,氫原子會與WO3納米線的晶格氧離子作用,并在納米線的表面和表層形成局域水分子和氧空位,而留在氧空位中的兩個受困電子可以被小激活能激發(fā)成為自由電子,這一過程導致納米線薄膜的電導增加和光吸收增強。另外,在氫感應過程中,除了氫氣分子吸附至納米線表面以

6、外,也存在著O2分子的共同吸附。它們會與表面H原子反應形成水分子而揮發(fā)。這一反應消耗了部分表面H原子,使Pt-WO3納米線薄膜對氫氣的響應效率變低。在樣品的恢復過程中,WO3納米線中的局域H2O分子會分解,氧離子填充回氧空位,而H+離子將與自由電子結合,形成H原子并遷移至表面。這一過程使納米線薄膜的電導減小。
　　 2.提出了一種新型氣敏傳感器工作概念。該傳感器利用流過低阻抗半導體薄膜本身的電流來產生焦耳熱,從而實現(xiàn)薄膜表面升溫

7、。該薄膜起到自加熱和氣體傳感的作用。該器件避免了使用外部加熱元件,簡化了制備工藝和傳感器的后續(xù)電路設計要求。我們以低阻抗的Pt-W18O49納米線薄膜為氣敏材料,制各自加熱型氫氣傳感器并表征了其傳感性能,證實了該工作理念的可行性。
　　 3.探索研究了自加熱Pt-W18O49納米線薄膜氫氣氣敏性能。Pt-W18O49納米線對氫氣的活性明顯地依賴于自加熱效率。主要體現(xiàn)為:樣品對相同濃度的氫氣(50-400 ppm范圍內)響應強度基