微波場作用下高活性β-Ga2O3-SiC納米復(fù)合物的制備及性能.pdf

1、寬帶隙(4.2-4.9eV) Ga2O3半導(dǎo)體材料由于具有很強(qiáng)的氧化還原性，在光催化領(lǐng)域具有其他氧化物半導(dǎo)體不可比擬的優(yōu)越性能，成為當(dāng)前研究熱點(diǎn)之一。
　　為了克服目前制備的β-Ga2O3粒徑大、制備工藝復(fù)雜等缺點(diǎn)。本論文以硝酸鎵(Ga(NO3)3)溶液為鎵源，尿素為沉淀劑，以SiC為載體和微波吸收材料，采用微波水熱均勻沉淀法和自制的微波“閃熱”法合成了具有微波吸收性能的超細(xì)、高活性的β-Ga2O3/SiC復(fù)合物。通過DLLS、X

2、RD、TEM、SEM、XPS、DRS和UV-Vis等分析方法對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行表征?？疾炝藷崽幚矸绞?、微波功率、反應(yīng)時(shí)間和載體SiC目數(shù)等因素對(duì)復(fù)合物的形貌、結(jié)構(gòu)和光催化性能的影響。
　　在微波場中，以微波無極燈(MEDL)為光源，RhB為目標(biāo)降解物，考察了不同實(shí)驗(yàn)條件下，在微波場中β-Ga2O3/SiC復(fù)合物的光催化降解性能和反應(yīng)動(dòng)力學(xué)規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，光催化作用、微波輻射和SiC共同作用時(shí)產(chǎn)生的協(xié)同作用時(shí)光催化活性提高的主要原因。<