InAs-GaSb基Ⅲ-Ⅴ族納米結構的制備及光電學性質研究.pdf

1、InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半導體納米結構因其高的電子遷移率，大的波爾激子半徑以及優(yōu)異的光電學性質被越來越廣泛地應用于光電子學領域。目前InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半導體納米結構主要通過金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)，分子束外延(MBE)等方法合成。然而，高昂的成本和傳統(tǒng)Ⅴ族前驅體（如:AsH3和AsO3）的劇毒特性限制了這些方法的推廣。本文基于傳統(tǒng)的化學氣相沉積法制備幾種類型的Ⅲ-Ⅴ族半導體納米材料，包括GaSb納米線，組分連續(xù)

2、可調的GaxIn1-xAs1-ySby四元合金納米線，GaInAsSb四元合金納米片，以及GaSb/InAs基橫向納米片異質結構。通過掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、激光拉曼光譜儀(Labram-010)和掃描透射電子顯微鏡(STEM)對產(chǎn)物的形貌、成分和結構進行了表征;利用近場光學顯微系統(tǒng)和自建的紅外PL測試系統(tǒng)對樣品的光致發(fā)光進行了研究;利用半導體參數(shù)儀測試了幾種納米結構的紅外探測特性;此外，通過改進的CVD系統(tǒng)，

3、研究了VLS機制與VS機制協(xié)同及競爭作用下，納米材料形貌所呈現(xiàn)的多樣性，研究了納米材料軸向外延與徑向外延的深層機制。本文取得了如下幾項研究成果:
　　1.基于化學氣相沉積法合成了高結晶質量的GaSb納米線。在固態(tài)源蒸發(fā)反應體系中，材料生長條件（溫度，壓強，Ⅴ/Ⅲ比例，沉積溫區(qū)等）的微弱擾動會極大地影響產(chǎn)物的形貌及結晶質量。通過梯度延長GaSb粉末的生長時間，GaSb納米線的長度及直徑均勻增加。XRD譜表明制備的納米線結晶性質優(yōu)良，

4、為立方閃鋅曠結構。激光功率依賴的拉曼光譜表明，在背散射配置下，隨著激光功率的升高，GaSb納米線的TO模及LO模都向低波數(shù)方向移動，歸因于測試過程中的激光加熱效應及聲子限域效應。光致發(fā)光譜表明所制備的GaSb納米線發(fā)光主要來自于帶隙原子直接躍遷，晶體管測試表明所合成的納米線具有較強的紅外光響應。
　　2.結合GaxIn1-xAs1-ySby四元合金納米線，在一定程度上克服了四元合金系的混熔帶隙難題。STEM結構表征表明納米線具有優(yōu)

5、異的結晶性質;納米線的低溫光致發(fā)光可從1635 nm連續(xù)調節(jié)至3250 nm。采用紫外光刻和金屬蒸鍍系統(tǒng)，構建了單合金0納米線晶體管，其響應率峰R值和EQE致可分別達到336 AW-1及4.02×104％?；诮钟蚱胶庀碌柠溈怂鬼f氣體分子運動方程及三元合金相圖，分析了GaxIn1-xAs1-ySby四元合金納米線的形成機理，以及實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ族四元合金系全組分連續(xù)可調的理論依據(jù)。
　　3.首次采用CVD法合成了GaInAsSb四元合

6、金納米片，實現(xiàn)了Ⅲ-Ⅴ族合金材料在維度上的擴展。STEM及XRD表征表明，納米片具有較好的結晶品質，為典型的立方閃鋅礦結構;微區(qū)拉曼譜發(fā)現(xiàn)納米片具有多模聲子振動行為，且各支模隨激光功率的增加，一致向低頻段移動，反應這種新的準一維材料當中存在的聲子限域效應;變溫光致發(fā)光數(shù)據(jù)表明，納米片的溫度熱膨脹因子α明顯低于GaInAsSb薄膜材料，這歸因于小尺寸效應導致的熱膨脹限域;隨后，設計了基于納米片的紅外探測器件，測試結果表明，其峰值響應率R值

7、可達675 A/W，相應的外量子效率EQE值為8.05×104％，遠高于基于GaInAsSb薄膜的紅外探測器件。結合VLS及VS機制，分析了納米片的形成機理，這為實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ新型準一維結構提供了參考。
　　4.首次通過CVD法合成了GaSb/InAs基橫向片狀異質結構。該結構具有類葉片狀形態(tài)，STEM表征表明其晶體結構為立方相，桿部的生長方向與片區(qū)的生長方向相互垂直。該葉狀橫向異質結構的出現(xiàn)，實現(xiàn)了Ⅲ-Ⅴ族半導體異質結構在維度上的擴