低功耗頻率合成器的關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩140頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,手持設(shè)備需求不斷增加,使得無線局域網(wǎng)、藍牙以及ZigBee等短距離無線標準相繼出現(xiàn)和普及,更低功耗和更低成本的芯片作為技術(shù)核心,成為產(chǎn)品的關(guān)鍵競爭力。頻率合成器為無線射頻收發(fā)機提供本振信號和頻率調(diào)制,是決定系統(tǒng)性能的關(guān)鍵電路。高性能的頻率合成器主要采用電荷泵鎖相環(huán)和全數(shù)字鎖相環(huán)實現(xiàn),本文分別對這兩種方式及其關(guān)鍵模塊的低功耗、低相位噪聲和低成本設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)進行研究,通過理論分析并測試驗證。
   壓控振蕩

2、器(Voltage Controlled Oscillator)是頻率合成器的核心,其相位噪聲是關(guān)鍵指標?,F(xiàn)有技術(shù)常犧牲功耗和面積降低相位噪聲,本文試圖以低功耗實現(xiàn)低相位噪聲設(shè)計。先進CMOS工藝下,閃爍噪聲的影響隨器件尺寸減小而突顯,已有技術(shù)主要降低尾電流或負阻管的閃爍噪聲,本文提出一種自開關(guān)偏置結(jié)構(gòu),首次在減小尾電流源閃爍噪聲的同時,還抑制了負阻管噪聲的變頻轉(zhuǎn)化。由于兩個最主要來源的閃爍噪聲被同時減小,帶內(nèi)相位噪聲降低至-77.6

3、dBc/Hz。傳統(tǒng)開關(guān)偏置技術(shù)存在相位噪聲和功耗的折衷,且功耗過大,本文的設(shè)計消除了二者的限制關(guān)系,有效降低功耗。采用0.18μm CMOS工藝實現(xiàn)用于2.4 GHzZigbee的壓控振蕩器,測試結(jié)果驗證了所提技術(shù)對低相位噪聲、低功耗的效果。
   為滿足Zigbee發(fā)射機的要求,基于電荷泵鎖相環(huán)設(shè)計了低功耗、低復(fù)雜度的兩點調(diào)制器,進行頻率調(diào)制。兩點調(diào)制器一般需要校正電路減小增益失配,但會增加設(shè)計復(fù)雜度和功耗。本文提出一種減小失

4、配的結(jié)構(gòu),通過減小可變電容失配和提高調(diào)制增益線性度實現(xiàn),相比其他方案,不需要使用校正電路,實現(xiàn)低功耗和低復(fù)雜度設(shè)計。對調(diào)制控制的關(guān)鍵模塊Delta-Sigma調(diào)制器,考察了不同階數(shù)、實現(xiàn)結(jié)構(gòu)和輸入位寬等因素對噪聲和雜散性能的影響。采用消除死區(qū)的鑒頻鑒相器和高線性度的電荷泵降低噪聲折疊影響,改善頻率合成器的帶內(nèi)相位噪聲和雜散性能。完整的兩點調(diào)制器在0.18μm CMOS工藝實現(xiàn)并測試。
   CMOS工藝的進步令全數(shù)字鎖相環(huán)體現(xiàn)出

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論