石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學(xué)性能的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、分類號(hào)：學(xué)校代碼：10426密級(jí)：學(xué)號(hào)：2012100212碩士學(xué)位論文MASTERDEGREETHESIS石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學(xué)性能的研究作者：岳繼光指導(dǎo)教師：李衛(wèi)兵學(xué)科專業(yè)：環(huán)境科學(xué)與工程專業(yè)代碼：083000研究方向：環(huán)境友好材料中文摘要I石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學(xué)性能的研究摘要多金屬氧化物鉬摻雜BiVO4是一種穩(wěn)定、廉價(jià)同時(shí)環(huán)境友好的半導(dǎo)體材料，而石墨烯因其優(yōu)異的光、電、熱、磁等效

2、應(yīng)也引起了科研工作者的廣泛關(guān)注。在光催化或光電化學(xué)材料設(shè)計(jì)領(lǐng)域，新型的石墨烯基半導(dǎo)體復(fù)合材料被廣泛認(rèn)為是一種極具應(yīng)用潛力的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換材料。在本文中，通過恒電流還原沉積法在Mo摻雜BiMo0.03V0.97O4(BiMoVO)光電化學(xué)薄膜表面制備了石墨烯包覆層。當(dāng)石墨烯沉積時(shí)間為600s時(shí)的BiMoVOGraphene(BiMoVOG)光陽(yáng)極具有最佳的光電化學(xué)性能，在外加偏壓為1V時(shí)光生電流密度達(dá)到3.5mAcm2，較單純的BiMoVO光

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