石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學性能的研究.pdf_第1頁
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1、分類號：學校代碼：10426密級：學號：2012100212碩士學位論文MASTERDEGREETHESIS石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學性能的研究作者：岳繼光指導教師：李衛(wèi)兵學科專業(yè)：環(huán)境科學與工程專業(yè)代碼：083000研究方向：環(huán)境友好材料中文摘要I石墨烯修飾鉬摻雜釩酸鉍薄膜光電極的制備及光電化學性能的研究摘要多金屬氧化物鉬摻雜BiVO4是一種穩(wěn)定、廉價同時環(huán)境友好的半導體材料，而石墨烯因其優(yōu)異的光、電、熱、磁等效

2、應也引起了科研工作者的廣泛關注。在光催化或光電化學材料設計領域，新型的石墨烯基半導體復合材料被廣泛認為是一種極具應用潛力的太陽能轉換材料。在本文中，通過恒電流還原沉積法在Mo摻雜BiMo0.03V0.97O4(BiMoVO)光電化學薄膜表面制備了石墨烯包覆層。當石墨烯沉積時間為600s時的BiMoVOGraphene(BiMoVOG)光陽極具有最佳的光電化學性能，在外加偏壓為1V時光生電流密度達到3.5mAcm2，較單純的BiMoVO光

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