單層二硫化鉬的化學(xué)氣相沉積法制備及其表征.pdf

1、單層二硫化鉬以其直接帶隙的性質(zhì)及在電子器件、催化、光電領(lǐng)域等中的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。而單層二硫化鉬的大規(guī)模應(yīng)用離不開大面積、高質(zhì)量的可控制備。本文主要圍繞大尺寸單層二硫化鉬的可控制備這一問題，以化學(xué)氣相沉積法為手段，制備了大尺寸的單晶二硫化鉬和大面積的單層二硫化鉬薄膜，系統(tǒng)的研究了其制備工藝對二硫化鉬生長的影響。
　　介紹了二硫化鉬的基本結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及應(yīng)用，綜述了目前制備單層二硫化鉬的幾種常見的方法。介紹了實驗室自制的CVD設(shè)備，實

2、驗中主要用到的材料、儀器等，并對本文用到的表征技術(shù)進行了介紹，包括光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、拉曼光譜和光致發(fā)光譜。
　　采用硫化三氧化鉬的常壓化學(xué)氣相沉積法在藍寶石和二氧化硅/硅襯底上生長二硫化鉬。研究了襯底的種類、襯底的清洗方式、生長溫度、鉬源的用量、襯底與鉬源的距離等生長條件對二硫化鉬生長的影響，并對最佳生長條件下制備出的二硫化鉬進行了系統(tǒng)的表征。測試的結(jié)果表明，所生長的二硫化鉬為厚度均一的單層三角形，尺寸可達50μm。