化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管陣列及其表征.pdf

1、碳納米管陣列(ACNTs)優(yōu)良的力學(xué)和電學(xué)性能使得其在納米復(fù)合材料、納米電子器件等方面有著重要、廣泛的應(yīng)用；近年來有關(guān)ACNTs的制備、性能與應(yīng)用的研究發(fā)展非常迅速。但以往制備ACNTs的方法大多工藝比較復(fù)雜，具有一定的局限性，因此尋求一種更廣泛、有效的制備方法是需要亟待解決的問題。 本文采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備ACNTs，利用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)表征技術(shù)，考察了反應(yīng)溫度、催化劑前驅(qū)體濃度以及噴射時(shí)間對(duì)

2、CVD反應(yīng)產(chǎn)物形貌的影響。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，反應(yīng)溫度對(duì)CVD反應(yīng)產(chǎn)物的形貌有較大的影響，在840℃生成的ACNTs質(zhì)量較好，其高度可達(dá)30μm，且雜質(zhì)顆粒含量很少。反應(yīng)溫度為860℃時(shí)，CVD積碳產(chǎn)物中含有大量的雜質(zhì)顆粒，生成的CNTs量很少；反應(yīng)溫度為820℃，ACNTs質(zhì)量較差，即CNTs彎曲較嚴(yán)重。催化劑前驅(qū)體重量百分比濃度為5.0％時(shí)所制得的ACNTs質(zhì)量較好，即CNTs生長(zhǎng)準(zhǔn)直、雜質(zhì)顆粒很少；濃度增高至7.0％時(shí)，CNT