785nm高功率半導(dǎo)體激光器技術(shù)研究.pdf

1、785nm半導(dǎo)體激光器在抽運(yùn)堿金屬蒸氣激光器（DPAL）、高精度干涉測(cè)量技術(shù)等方面均有著重要應(yīng)用，但針對(duì)785nm波段器件的研究較少。本文針對(duì)785nm半導(dǎo)體激光器的高亮度應(yīng)用，設(shè)計(jì)了一種超非對(duì)稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，并分析了器件的阱數(shù)、腔長(zhǎng)、有源區(qū)和波導(dǎo)層厚度對(duì)其閾值電流密度的影響。設(shè)計(jì)的超非對(duì)稱結(jié)構(gòu)器件的波導(dǎo)層總厚度為0.32μm，p型波導(dǎo)層僅有0.07μm。該結(jié)構(gòu)同以往的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)相比，不僅使光場(chǎng)偏離有源區(qū)，能夠有效提高COD閾

2、值功率，并大大減薄p面波導(dǎo)層的厚度，達(dá)到降低光吸收、提高芯片在高功率工作條件下的散熱性能。
　　此外，可靠性問(wèn)題一直都是半導(dǎo)體激光器的一個(gè)研究熱點(diǎn)。利用非注入?yún)^(qū)提高半導(dǎo)體激光器的COD閾值是目前常用的方法，但對(duì)含有該種結(jié)構(gòu)的器件的熱特性的影響尚鮮有報(bào)道。本文從腔面損傷等產(chǎn)生的熱對(duì)器件的影響的角度為出發(fā)點(diǎn)，利用 Ansys有限元分析軟件模擬芯片有源區(qū)在不同電流非注入?yún)^(qū)寬度下的溫度變化，對(duì)器件熱特性進(jìn)行分析探討。計(jì)算結(jié)果表明隨著非注入