2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、InGaAs/GaAs應變量子階激光器具有極低的閾值電流密度、較高的特性溫度和較高的光學災變損傷閾值,這使得激光器具有更高的輸出功率和更長的壽命.因此InGaAs/GaAs應變量子阱結構可以用于大功率半導體激光器的制備. 該文采用MBE生長方法制備了高功半導體激光器列陣.激光器的生長結構采用InGaAs/GaAs/AlGaAs分別限制應變單量子階線性緩變折射率波導結構,列陣條寬為4 mm,通過SiO<,2>掩膜,歐姆接觸和腔面鍍膜等工藝

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