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文檔簡(jiǎn)介
1、早在19世紀(jì)末,駐極體作為一種基本的物理現(xiàn)象就已被人們發(fā)現(xiàn)。經(jīng)過(guò)多年的探索和研究,現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)發(fā)了各種各樣的駐極體材料。由于駐極體能產(chǎn)生靜電場(chǎng),因此可以廣泛應(yīng)用在電容式靜電微型發(fā)電機(jī)、過(guò)濾材料及傳感器中。但在實(shí)際使用的過(guò)程中,由于駐極體所帶的電荷會(huì)衰減,導(dǎo)致其可靠性不高,降低了其使用壽命并限制了使用范圍,這主要是由于目前對(duì)駐極體的形成機(jī)制和電荷存儲(chǔ)機(jī)制還不是十分清楚。因此開(kāi)展駐極體電荷存儲(chǔ)機(jī)制的研究,制備具有高表面電位以及優(yōu)良的電荷存儲(chǔ)性
2、能的駐極體材料,已成為目前的主要研究方向之一。
本論文在深入調(diào)研前人研究成果的基礎(chǔ)上,開(kāi)展了聚丙烯(Polypropylene,簡(jiǎn)稱(chēng)PP)微結(jié)構(gòu)與駐極體性能相關(guān)性研究。首先研究了PP的表面結(jié)構(gòu)與其駐極體性能的關(guān)系,然后再深入PP內(nèi)部,研究晶相結(jié)構(gòu)和結(jié)晶度與駐極體性能的關(guān)系,最后簡(jiǎn)要分析了PP的電荷存儲(chǔ)機(jī)理。本論文的主要研究工作與結(jié)果如下:
(1)用熱壓成膜法制備了表面粗糙和光滑兩種不同表面結(jié)構(gòu)的PP薄膜,并用原子力顯
3、微鏡(AFM)表征了不同的表面結(jié)構(gòu)。用電暈注極方法對(duì)不同表面結(jié)構(gòu)的PP進(jìn)行注極,并測(cè)量了表面電位。結(jié)果表明PP薄膜的表面越粗糙,注極后其表面電位越高,但表面電位的衰減規(guī)律基本相似。
(2)用熱刺激放電(TSD)方法,分析了不同表面結(jié)構(gòu)的PP駐極體中電荷的衰變機(jī)制,結(jié)果表明兩種樣品都有兩個(gè)放電峰,因此兩種樣品都存在兩種“電荷陷阱”,一種是淺阱,另一種是深阱。淺阱由表面結(jié)構(gòu)形成,在較低溫度時(shí)電荷就容易從中逃逸形成低溫峰;深阱由內(nèi)部
4、結(jié)構(gòu)形成,在高溫時(shí)才會(huì)釋放電荷形成高溫峰。粗糙樣品的低溫和高溫放電峰分別出現(xiàn)在54.5℃和131.2℃,光滑樣品的低溫和高溫放電峰分別出現(xiàn)在54.4℃和130.8℃,兩者的峰溫幾乎相同,這說(shuō)明表面結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變電荷的存儲(chǔ)穩(wěn)定性。
?。?)為了消除注極時(shí)過(guò)剩電荷的影響,改用輔助界面極化方法對(duì)α和β晶型PP薄膜進(jìn)行注極,研究晶相結(jié)構(gòu)與PP駐極體性能的關(guān)系,結(jié)果表明α晶型PP駐極體中電荷的穩(wěn)定性更高。α和β晶型PP駐極體都只有一個(gè)TSD
5、放電峰,α晶型PP駐極體的峰溫為129.4℃,β晶型PP駐極體的峰溫為104℃,因此α晶型PP駐極體中深阱對(duì)電荷的束縛能更大,這是其電荷穩(wěn)定性更高的內(nèi)在因素。
?。?)用輔助界面極化方法制備了共聚PP駐極體和均聚PP駐極體,并綜合分析了兩者的駐極體性能,結(jié)果表明共聚 PP的駐極體性能更好。共聚PP和均聚PP駐極體都只有一個(gè)TSD放電峰,共聚PP駐極體的峰溫為104℃,均聚PP駐極體的峰溫為91.5℃,這表明共聚PP中深阱對(duì)電荷的
6、束縛能更大,這是其駐極體性能更好的內(nèi)在因素。
?。?)用控制冷卻速率的方法制備了三種結(jié)晶度不同的PP薄膜,經(jīng)輔助界面極化后,研究了結(jié)晶度與PP駐極體性能的關(guān)系。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明結(jié)晶度和PP駐極體的表面電位密切相關(guān),結(jié)晶度越高,其內(nèi)部深阱越多,因此表面電位就越高。不同結(jié)晶度的PP駐極體的TSD放電峰峰溫并沒(méi)有隨著結(jié)晶度的改變而明顯改變,這表明結(jié)晶度的差異并沒(méi)有改變PP駐極體中深阱對(duì)電荷的束縛能,因此電荷的穩(wěn)定性也沒(méi)有變化。
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