以光纖為基體液相合成摻錫氧化銦透明導電薄膜.pdf

1、摻錫氧化銦（Indium tin oxide，簡稱ITO）薄膜是目前應用最為廣泛的透明導電薄膜。以石英光導纖維為基體負載ITO薄膜，可以充分利用ITO薄膜的導電性能、透光性能和敏感特性等對光纖進行表面功能化修飾，從而應用于光電器件或者傳感器件等領域。本課題提供了一種溫和的制備ITO復合光纖的方法，并對該方法制備的ITO納米顆粒以及ITO復合光纖的光電性能等進行了表征。
　　首先，采用水熱法結合煅燒過程成功制備了結晶良好的ITO納米

2、粉體，研究了水熱溫度對ITO晶體的影響。發(fā)現(xiàn)水熱溫度會影響ITO晶體結構的改變，隨著水熱溫度升高，會發(fā)生In(OH)3向InOOH晶體的相轉(zhuǎn)變過程，煅燒后會得到立方In2O3或者斜方In2O3晶體或者兩者的混合物。以水熱法制備的ITO納米粉體為基礎制備了ITO復合光纖，發(fā)現(xiàn)160℃水熱溫度下制備的ITO顆粒膜的電阻率最低，為0.8Ω·cm，透光率達到91.7％；
　　其次，采用乙二醇為溶劑，通過一步溶劑熱反應制得了單分散ITO粉體

3、，研究了溶劑熱反應溫度和反應時間對 ITO納米晶體結構和形貌的影響。結果表明，溶劑熱溫度對ITO晶體的產(chǎn)率有一定影響，而溶劑熱時間對晶粒尺寸有一定影響。以溶劑熱法制備的ITO納米粉體為基礎制備了ITO復合光纖，發(fā)現(xiàn)250℃溶劑熱溫度下制備的ITO顆粒膜的電阻率最低，為0.8Ω·cm，透光率達到93.1%；
　　最后，通過對溶膠凝膠工藝進行改進，可以使ITO膜的電阻率達到2.7*10-3Ω·cm。對液相法制備的ITO復合光纖進行綜合