CuI薄膜的制備和光電特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碘化亞銅(γ-CuI)作為Ⅰ-Ⅶ族半導(dǎo)體,屬于p型寬帶隙高電導(dǎo)率的材料,具有閃鋅礦晶體類型、獨(dú)特的光電特性,是優(yōu)秀的空穴傳輸材料,在鈣鈦礦、聚合物、異質(zhì)結(jié)等太陽能電池領(lǐng)域中具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值,已成為專家學(xué)者研究的熱點(diǎn)。本文主要討論了連續(xù)提拉法、化學(xué)氣相沉積法制備CuI薄膜,并探討了基于CuI薄膜的異質(zhì)結(jié)的光電特性。
  本文首先利用連續(xù)提拉法,以碘化亞銅飽和溶液為前驅(qū)液,在ITO透明導(dǎo)電玻璃襯底上制備了CuI薄膜。通過金相顯微

2、鏡、X-射線衍射儀、分光光度計(jì)、掃描電子顯微鏡、霍爾效應(yīng)儀等儀器討論了提拉次數(shù)(10次、20次、30次)對CuI薄膜光電特性的影響。發(fā)現(xiàn)連續(xù)提拉20次時(shí),薄膜的光電特性最好,薄膜表面顆粒大小適中,分布較為均勻。另外,研究了銀摻雜對提拉法制備的CuI薄膜的光電特性的影響,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),摻銀并沒有改變薄膜的光電特性和晶體結(jié)構(gòu),而是提高了薄膜的光電特性和結(jié)晶度,摻雜在薄膜生長過程中起到了催化作用。
  由于提拉法制備的薄膜結(jié)晶度較低,本文還

3、利用化學(xué)氣相沉積法,以摻銀的碘化亞銅飽和溶液作為前驅(qū)溶液,氬氣為輸運(yùn)氣體,在硅(Si)和石英玻璃襯底上沉積生長CuI薄膜,探究了反應(yīng)時(shí)間(20min、40min、60min)對CuI薄膜光電特性和表面形貌結(jié)構(gòu)的影響。發(fā)現(xiàn)隨著反應(yīng)時(shí)間的增加,薄膜的表面相貌越來越平整,越容易獲得大面積的薄膜樣品,光電特性也隨時(shí)間的增加有所提高。同時(shí),本文還對比了化學(xué)氣相沉積法和連續(xù)提拉法制備的CuI薄膜及其光電特性。通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的表征,發(fā)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積法制

4、備的CuI薄膜具有更好的光電特性。
  最后,本文利用化學(xué)氣相沉積法,以摻銀的硫化鉬和碘化亞銅飽和溶液作為前驅(qū)溶液,氬氣為輸運(yùn)氣體,在FTO導(dǎo)電玻璃襯底上制備了CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)。探討了CuI和MoS2薄膜的表面相貌、晶體結(jié)構(gòu)、光吸收特性和電學(xué)特性。CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)的光吸收波段幾乎包括了整個(gè)近紫外、可見光、近紅外波段,有助于提高該異質(zhì)結(jié)的光電響應(yīng)及光伏特性。CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)出很好的整流特性,并在有光照的條件下具

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