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文檔簡介
1、本文采用Cu-Ti活性釬料和CuCoTi活性釬料進行了Si3N4陶瓷的高溫活性釬焊,對每種釬料所得的接頭進行了能譜分析,研究了其形成機理。
采用Cu80Ti20釬料在1413K-1493K的溫度,保溫5min-15min的工藝條件下分別進行了Si3N4陶瓷的高溫活性釬焊,在所選工藝條件下均成功得到了無缺陷和裂紋的釬焊接頭,通過對接頭組織和成分的分析,接頭的組成為Si3N4陶瓷/界面反應層/Cu-Ti化合物+Ti5Si3/界
2、面反應層/Si3N4陶瓷,其中界面反應層中主要為TiN。并得到了連接溫度及保溫時間對釬縫寬度和界面反應層厚度的影響規(guī)律。
采用Cu80Ti20釬料在1453K,保溫10min的工藝條件下成功進行了Si3N4陶瓷與40Cr的連接,通過分析,接頭的組成可以描述為Si3N4陶瓷/界面層/Cu-Ti化合物+Ti5Si3/界面層/40Cr,其中陶瓷側(cè)界面層主要為TiN,金屬側(cè)界面層則主要為TiFe。
對CuCoTi釬料
3、進行了成分設(shè)計,采用所設(shè)計的釬料在相同工藝條件下進行了Si3N4陶瓷高溫釬焊均成功得到了無缺陷和裂紋的Si3N4陶瓷/Si3N4陶瓷的釬焊接頭,通過對接頭組織、界面反應層及強度的分析,Cu50(Co26Ti74)50釬料所得接頭在界面反應厚度及連續(xù)性、接頭強度等方面均優(yōu)于Cu40(Co26Ti74)60釬料。通過對接頭進行能譜分析,確定接頭的組成為Si3N4陶瓷/界面層/釬縫/界面層/Si3N4陶瓷,其中界面層中主要為TiN,此外界面處
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