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文檔簡介
1、氮化硅陶瓷是最有希望在高溫下應用的一種結構陶瓷,研究Si3N4陶瓷的連接具有十分重要的理論和實用價值。本文采用Au-Ni-V活性釬料釬焊Si3N4陶瓷,研究連接工藝參數(shù)對釬焊接頭的組織和性能的影響,并通過SEM、EDS、XRD分析了元素的成分分布,以及反應產物的類型,探討了界面的連接機理。
使用Au-Ni-V釬料直接釬焊Si3N4陶瓷,可獲得可靠的接頭。整個接頭由三部分組成:陶瓷與釬料界面之間的V2N反應層,焊縫中的Au[Ni
2、]固溶體,以及Au[Ni]固溶體中均勻分布的Ni[Si,V,Au]固溶體。在較高溫度或者較長保溫時間時,接頭中間會有新相Ni3Si生成。
隨著連接溫度的提高,V2N反應層變厚,Ni[Si,V,Au]固溶體分布更加均勻,接頭的彎曲強度隨之升高,在1423K時彎曲強度達到222.4MPa。當釬焊溫度繼續(xù)升高時,界面反應層厚度沒有明顯變化,但更多的Si擴散到接頭內部和Ni發(fā)生反應,生成金屬間化合物Ni3Si,導致接頭強度降低。
3、> 隨著保溫時間延長,界面反應層增厚,Ni[Si,V,Au]固溶體分布逐漸趨于均勻化,接頭強度隨保溫時間的延長而提高。但過長的保溫時間會導致金屬間化合物Ni3Si形成,降低接頭彎曲強度。
釬料中V的含量由4.76at.%提高到10at.%,可以提高對陶瓷母材的潤濕性,改善接頭的性能。
改變釬料的添加方式,可以有效的促進V的擴散,改善接頭內部的顯微組織形態(tài),且提高焊合率,所以得到的接頭力學性能提高,在1423K保溫6
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