ZnSnN2薄膜的制備與物理性能的研究.pdf

1、ZnSnN2是一種新型三元化合物半導體薄膜太陽能電池材料。與其它化合物太陽能電池薄膜材料相比，ZnSnN2具有低廉的原料成本和無毒性等優(yōu)勢，非常適合大規(guī)模生產(chǎn)。然而目前文獻報道的ZnSnN2均采用襯底加溫的方式在昂貴襯底上制備，在成本和能耗方面缺乏優(yōu)勢。另外關于ZnSnN2光學性能和電學性能的報道非常少，缺乏系統(tǒng)的物理性能研究。
　　本文通過大量實驗降低了ZnSnN2的制備溫度和襯底要求，對制備參數(shù)進行了優(yōu)化，并對其光學和電學性能

2、進行了系統(tǒng)研究。
　?。?）采用磁控濺射方法分別在石英、玻璃、硅片及柔性的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)襯底上實現(xiàn)了單一相ZnSnN2多晶薄膜的室溫制備。通過研究工藝參數(shù)對ZnSnN2薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律的研究，找到了制備單一相ZnSnN2薄膜的優(yōu)化工藝參數(shù)。
　?。?）通過橢偏儀和紫外-可見分光光度計對ZnSnN2薄膜的光學性能進行了研究，采用洛倫茲模型擬合的方法獲得了 ZnSnN2薄膜重要的光學性能參數(shù)，包括折射率、吸收