CdZnTe多晶與非晶膜的制備及物理性能的研究.pdf

1、Cd1-xZnxTe（下文均簡(jiǎn)稱CZT）晶體由于其優(yōu)良的光電性能，得到了人們的廣泛重視。CdZnTe具有電阻率較高，禁帶寬度Eg比較大，且可調(diào)節(jié)，載流子傳輸性能優(yōu)異，漏電流低等特性，因此被視為目前研制常溫核探測(cè)器最佳的半導(dǎo)體材料。單晶的CdZnTe生長(zhǎng)難度大、代價(jià)高，使得生長(zhǎng)高品質(zhì)且比較大的單晶體比較困難，以至于晶體在大范圍探測(cè)中的使用被限定，而因?yàn)橹苽銫dZnTe薄膜的消耗材料少，而且易于大面積沉積，節(jié)約了成本，使得CdZnTe薄膜已

2、成為一項(xiàng)熱門研究。本文采取射頻磁控濺射法，以Cd0.9Zn0.1Te晶體為靶材，沉積了CdZnTe的多晶薄膜和非晶薄膜，并對(duì)其進(jìn)行了比較研究。進(jìn)一步使用循環(huán)間歇濺射法制備了CdZnTe厚膜，并對(duì)其進(jìn)行了簡(jiǎn)單的研究。
　　本文以物理氣相沉積為基礎(chǔ)，采用磁控濺射方法制備了多晶CdZnTe薄膜，首先研究了磁控濺射工藝參數(shù)對(duì)CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響，其次在濺射過程中通入少量的氮?dú)庵苽淞朔蔷dZnTe薄膜，并對(duì)CdZnTe多晶薄膜

3、和非晶薄膜進(jìn)行了比較研究。采用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、電子探針、紫外可見光分光光度計(jì)和半導(dǎo)體測(cè)試儀等分析測(cè)試了薄膜的結(jié)構(gòu)及性能。結(jié)果表明:在濺射過程中功率為80W、氬氣氣壓為2.5Pa、濺射時(shí)間為2h，靶間距6.5cm工藝下制備的CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)和性能較好，電阻率達(dá)到109Ω·cm;相同條件下制備的多晶和非晶CdZnTe薄膜進(jìn)行了比較，得到非晶薄膜的禁帶寬度較大，電阻率比多晶的電阻率高103個(gè)數(shù)量級(jí)。
　　若要達(dá)到膜探測(cè)器