Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、氮化處理及物性研究.pdf

1、ZnO是一種寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料。室溫下禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能為60meV，具有在近紫外發(fā)光、光學(xué)透明性、電子傳導(dǎo)、壓電性等獨(dú)特性質(zhì)，而成為重要的功能材料。Zn2GeO4是一種新型Ⅳ-Ⅵ族寬禁帶三元化合物半導(dǎo)體材料。在兼顧ZnO、GeO2材料性能的同時(shí)，具有帶隙連續(xù)可調(diào)的特點(diǎn)。
　　本文利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)，采用Au和ZnO籽晶層作為催化劑，在Si襯底上合成直立性良好的三元Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu);利用水熱法

2、在無襯底的情況下制備出了花狀的三元Zn2GeO4納米花型結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步對(duì)利用CVD方法采用不同催化劑制備的Zn2GeO4生長(zhǎng)過程進(jìn)行分析，二者分別遵循的是氣-液-固(VLS)和氣-固(VS)生長(zhǎng)機(jī)制。我們通過改變實(shí)驗(yàn)過程中各種元素的比例及生長(zhǎng)距離等條件制備出了面條狀的和直立陣列和花狀的Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu)。分別采用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電鏡（TEM）和光致發(fā)光(PL)等測(cè)試手段對(duì)樣品的形貌、晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性