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文檔簡介
1、在極限電流型氧傳感器中，由于致密擴(kuò)散障礙層與電解質(zhì)層的燒結(jié)溫度不同，所以為了解決共燒結(jié)不匹配這一問題，制備傳感器的方法一般采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)、瓷片復(fù)合工藝等方法。但是由于電解質(zhì)層與致密擴(kuò)散障礙層無法直接接觸，對傳感器的工藝要求較高，使傳感器的傳導(dǎo)無法取得良好的效果。磁控濺射工藝可以將8YSZ直接濺射到LSM基體上，使YSZ顆粒在LSM基體上生長，在接觸良好的同時(shí)進(jìn)一步減小氧傳感器的厚度。
本論文研究了LSM致密擴(kuò)散障礙層的最佳燒
2、結(jié)溫度，在1350℃時(shí)可以達(dá)到致密而且形成閉孔，防止氧傳感器在測試過程中在致密擴(kuò)散障礙層一側(cè)發(fā)生漏氧。采用射頻磁控濺射法在LSM基底上濺射制備8YSZ氧敏薄膜，分析了在濺射過程的工藝參數(shù)中，反應(yīng)氣體Ar和O2流量的變化、濺射過程中基體溫度以及濺射時(shí)間對YSZ薄膜微觀形貌的影響。
通過實(shí)驗(yàn)研究表明，射頻磁控濺射方法制備YSZ薄膜的最優(yōu)工藝參數(shù)為：工作氣壓為0.75Pa，射頻功率為224W，濺射時(shí)間為1.5h，基體溫度為550℃，
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