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1、可靠性是衡量集成電路性能的重要指標(biāo),半橋電路工作頻率的增加,使電路寄生參數(shù)所帶來(lái)的瞬態(tài)效應(yīng)變得更加重要。瞬態(tài)效應(yīng)引起的尖峰電壓導(dǎo)致功率MOSFET和驅(qū)動(dòng)電路功能的混亂,引起半橋電路功耗的增加并破壞電路的可靠性。本論文重點(diǎn)研究瞬態(tài)效應(yīng)導(dǎo)致的尖峰電壓的產(chǎn)生原因與影響程度,進(jìn)而給出了保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案。
本論文首先介紹了自舉式半橋電路的結(jié)構(gòu)與工作原理??紤]功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)電路的主要寄生參數(shù),建立電路的等效模型,詳細(xì)分析了瞬態(tài)尖峰
2、電壓產(chǎn)生的原因,隨后具體研究了瞬態(tài)尖峰電壓對(duì)功率MOSFET與驅(qū)動(dòng)電路的影響。根據(jù)電路閉鎖的原理,提出了一種保護(hù)電路,該電路由采樣檢測(cè)電路、復(fù)位電路及邏輯控制電路三個(gè)子模塊組成,實(shí)現(xiàn)了對(duì)工作狀態(tài)信號(hào)的鎖存,并輸出帶有回滯的電路鎖定信號(hào),提高了電路的可靠性。在所提出保護(hù)電路的基礎(chǔ)上,本論文設(shè)計(jì)了一款改進(jìn)后的半橋驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)欠壓保護(hù)電路與過(guò)流保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)了電路保護(hù)功能,提高了驅(qū)動(dòng)電路抗瞬態(tài)尖峰電壓的干擾能力。本論文使用了3μm
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