淺析X-ray輻射對(duì)SSD閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的影響.pdf

1、早在上世紀(jì)60年代，人們就發(fā)現(xiàn)由于太空輻射導(dǎo)致了微電子器件功能失效，這對(duì)衛(wèi)星產(chǎn)生了致命的危害。后期的各個(gè)時(shí)間段里，人們對(duì)輻射對(duì)微電子器件的影響的機(jī)理做了詳細(xì)的研究，并提出了加固的方案。不過前期的研究，主要還是正對(duì)MOS管器件。
　　隨著EPROM、EEPROM、DDR、Flash的陸續(xù)發(fā)明和使用，輻射對(duì)這些產(chǎn)品的影響也逐步的被意識(shí)和研究。
　　本文是基于在實(shí)際生產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)存在閃存中的數(shù)據(jù)，經(jīng)過了一定時(shí)間X射線的檢查后，原

2、來的閾值電壓有變化，進(jìn)而針對(duì)現(xiàn)在常用的24nm SSD存儲(chǔ)芯片做了進(jìn)一步的研究。本文首先對(duì)閃存產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)和讀、寫、擦的功能做了基本介紹;然后是詳細(xì)介紹了所使用的芯片結(jié)構(gòu)和測(cè)試使用的軟硬件，給出了實(shí)驗(yàn)計(jì)劃和實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析方法;根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果做了詳細(xì)的分析，確認(rèn)了在不同輻射劑量下對(duì)不同存儲(chǔ)數(shù)據(jù)類型的影響，溫度，不同疊層，不同芯片受到一定輻射后的差異性，以及受到輻射后從新擦除和寫入數(shù)據(jù)的正確性和可靠性做了比較詳細(xì)的研究。
　　基于E