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文檔簡介
1、聚醚砜(PES)是一種綜合性能優(yōu)良的聚合物膜材料,具有較高的拉伸強(qiáng)度和優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性,常作為超濾、納濾膜的材料。羥基磷灰石(HAP)因獨(dú)特的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu),使其具有良好而廣泛的吸附性能,對(duì)蛋白質(zhì)具有很強(qiáng)的吸附性,而通過一些無機(jī)粒子的摻雜改性會(huì)導(dǎo)致HAP的晶格參數(shù)、晶胞體積、結(jié)晶度、晶粒尺寸等發(fā)生變化,從而引起吸附性能的改變,然后再對(duì)摻雜改性后的HAP進(jìn)行表面改性,通過在其表面接枝有機(jī)高分子,可以改變其表面性質(zhì),增強(qiáng)其懸浮穩(wěn)定性,有
2、效地改善無機(jī)粒子與聚合物的相容性,從而提高復(fù)合膜材料的性能。本文先采用超聲波法,通過不同的合成條件來制備不同的摻鍶羥基磷灰石(Sr-HAP),接著采用等離子體方法,用丙烯酸(AAc)單體通過不同的等離子體處理?xiàng)l件和接枝條件來表面接枝改性Sr-HAP,最后以PES為膜材料、二甲基乙酰胺(DMAc)為溶劑、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)K90為添加劑、Sr-HAP-AAc為無機(jī)填料,并由浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化法制備PES/Sr-HAP-AAc復(fù)合膜,可使
3、得到的復(fù)合膜具有良好的生物相容性和吸附性能。本文主要內(nèi)容如下:
1、采用超聲化學(xué)法,通過改變不同的合成條件研究了 Sr-HAP的結(jié)構(gòu)和性能以及對(duì)蛋白質(zhì)的吸附性能。通過FTIR、XRD、TEM、納米粒度分析儀表征Sr-HAP的化學(xué)組成、晶相結(jié)構(gòu)、形貌和粒徑分布,并用 BET法分析納米粒子的比表面積。結(jié)果顯示,隨著摻鍶量的增加,合成的Sr-HAP納米粒子對(duì)目標(biāo)蛋白-牛血清蛋白(BSA)的吸附量逐漸增大,在摻鍶量為50%的時(shí)候達(dá)到最
4、大,為81.4 mg BSA/g Sr-HAP,此時(shí)合成的Sr-HAP納米粒子的化學(xué)組成和晶相結(jié)構(gòu)符合標(biāo)準(zhǔn) HAP的特征,晶體顆粒呈短棒狀,尺寸較小,粒子直徑約10nm左右,長度在30~40nm左右,納米粒徑分布均勻并細(xì)小。此外依次改變超聲反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度、分散劑聚乙二醇(PEG)含量和高溫處理溫度。經(jīng)過綜合比較,我們選擇最佳合成條件為摻鍶量50%、超聲反應(yīng)時(shí)間2h、反應(yīng)溫度60℃、PEG含量6%、高溫處理60℃。此條件下合成的Sr-
5、HAP對(duì)目標(biāo)蛋白具有最大的吸附量。
2、采用低溫等離子體表面接枝方法,通過改變不同的等離子體處理?xiàng)l件和接枝條件研究了表面接枝改性后 Sr-HAP-AAc的結(jié)構(gòu)和性能以及對(duì)蛋白質(zhì)的吸附性能。通過FTIR和TG研究了Sr-HAP-AAc的化學(xué)結(jié)構(gòu)和接枝率,并分析研究了Sr-HAP-AAc的懸浮穩(wěn)定性。結(jié)果顯示,成功地在Sr-HAP表面接枝上了丙烯酸。隨著等離子體處理時(shí)間的增加,Sr-HAP-AAc的接枝率和對(duì)目標(biāo)蛋白的吸附量逐漸增
6、大,在處理時(shí)間為9min時(shí),接枝率達(dá)到最大,達(dá)到17.3%,吸附量最大,達(dá)到95 mg BSA/g Sr-HAP-AAc。依次改變等離子體處理功率、處理氣壓、空氣中暴露時(shí)間、接枝溫度和接枝時(shí)間。經(jīng)過綜合比較,我們選擇最佳等離子體處理?xiàng)l件為處理時(shí)間9min、處理功率250W、處理氣壓60Pa和空氣中暴露時(shí)間3min,最佳接枝條件為溫度40℃和時(shí)間5h。此條件接枝改性后的Sr-HAP-AAc對(duì)目標(biāo)蛋白具有最大的吸附量。
3、采用浸
7、沒沉淀相轉(zhuǎn)化法,制備單層和雙層 PES/Sr-HAP-AAc復(fù)合膜,研究了復(fù)合膜的結(jié)構(gòu)和性能以及對(duì)蛋白質(zhì)的吸附性能。Sr-HAP-AAc占固含量的60%、PES固含量為15%、PVP K90為5%、以DMAc為溶劑制備厚度為0.22mm的單層復(fù)合膜(monolayer MMMs),吸附量為53.3 mg BSA/g MMMs,吸附效率達(dá)到93.5%。以上層PES為10%的純PES膜,下層同0.22mm膜的條件來制備雙層復(fù)合膜(doubl
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