a-SiC-H薄膜的制備及其光伏器件應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、窗口層在p-i-n型太陽電池中起著一個重要的作用。本論文采用等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)，首先在玻璃襯底上制備了光學帶隙為2.46eV的氫化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜，并利用臺階儀、X射線光電子譜(XPS)、紫外可見光譜(UV-VIS)等技術手段實驗研究了射頻功率、襯底溫度、反應壓強和氣體流量對薄膜的生長速率、結構成分和光學帶隙的影響。實驗發(fā)現(xiàn)，光學帶隙隨著上述條件而變化。以B2H6為摻雜劑，利用原位摻雜制備了電導率

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