光控SiC器件的計(jì)算機(jī)模擬.pdf

1、西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文光控SiC器件的計(jì)算機(jī)模擬姓名：靳瑞英申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：陳治明20040101摘要光控SiC器件的計(jì)算機(jī)模擬學(xué)科名稱：微電子學(xué)與固體電子學(xué)作者：靳瑞英指導(dǎo)教師：陳治明(教授)蒲紅斌(講師)答辯日期：——摘要在本文中，通過(guò)使用二維器件模擬軟件MEDICI，對(duì)SiCGe／SiC異質(zhì)結(jié)的光電特性進(jìn)行了模擬。在這個(gè)異質(zhì)結(jié)中，N型重?fù)诫s3CSiC層的厚度為lam，P型輕摻雜SiCGe層厚

2、度為O4pm，二者之間形成突變異質(zhì)結(jié)。在反向偏壓為3v、光強(qiáng)度為O23Watts／cm2的條什下，經(jīng)計(jì)算機(jī)模擬發(fā)現(xiàn)，PNSiCo8Geo2／SiC和pnSiC(17Geo，／SiC敏感波長(zhǎng)九最大可以分別達(dá)到064肛m和O7岬，光電流分別為7765x10“A／gm和7438x107A／gm；為了進(jìn)一步提高SiCGe／SiC光電二極管的光電流，將PN兩層結(jié)構(gòu)改進(jìn)為pl—n三層結(jié)構(gòu)。在同樣的偏壓、光照強(qiáng)度條件下，p_iiiSiCo8Geo2／

3、SiC和Pf_NSiCo7Geo3／SiC的光電流分別達(dá)到16734x100A／pro和1844x106A／pm。為了解決目前電控SiC—Darlington器件固有的電磁干擾問(wèn)題，我們提出一種光控SiCDarlington器件的新結(jié)構(gòu)，它是由SiCGe／SiC異質(zhì)結(jié)光電二級(jí)管和SiCDarlington晶體管單片集成構(gòu)成的。通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬可以發(fā)現(xiàn)，我們?cè)O(shè)計(jì)的SiC—Darlington晶體管當(dāng)在集電極和發(fā)射極的反向電壓Vce=100V