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文檔簡介
1、高介電常數(shù)復(fù)合材料是目前重要的功能材料,其具有良好的儲(chǔ)存電能和均勻電場的作用,在包括航空航天、電子信息、電氣絕緣在內(nèi)的眾多尖端工業(yè)領(lǐng)域扮演重要角色。而導(dǎo)體/聚合物復(fù)合材料是制備高介電常數(shù)材料的重要形式,但是卻導(dǎo)致介電損耗很大,嚴(yán)重限制其應(yīng)用。因此,研制兼具高介電常數(shù)和低介電損耗的導(dǎo)體/聚合物復(fù)合材料成為當(dāng)今高介電常數(shù)材料的重點(diǎn)和難點(diǎn),具有重要的理論意義和應(yīng)用價(jià)值。
本研究工作的目的和意義主要是制備具有優(yōu)異介電性能的高介電常數(shù)樹
2、脂基復(fù)合材料,主要體現(xiàn)在增加復(fù)合材料的介電常數(shù),同時(shí)降低介電損耗。由于復(fù)合材料的介電性能取決于填料、樹脂、填料在樹脂中的的分散性以及它們之間的界面作用,所以根據(jù)以上決定復(fù)合材料的性能的因素制定并且開展了以下兩方面的研究工作:
首先,選取膨脹石墨(EG)作為導(dǎo)體填料,CaCu3TiO12(CCTO)作為陶瓷材料,氰酸酯樹脂(CE)作為樹脂基體。首先用硅氧烷偶聯(lián)劑(KH550)和鈦酸酯偶聯(lián)劑(TC-WT)分別對(duì)CCTO和EG進(jìn)行表
3、面處理,測試數(shù)據(jù)結(jié)果顯示,兩種偶聯(lián)劑成功的接枝到了各自填料的表面。將改性后的和未改性的EG作為導(dǎo)體填料,CE作為樹脂基體制備兩組二元復(fù)合材料,并且對(duì)其進(jìn)行介電性能的測試和分析。結(jié)果表明,經(jīng)過改性后的EG在CE樹脂中具有更好的分散性和樹脂之間的界面結(jié)合力,因此改性過后的EG為導(dǎo)體制備的復(fù)合材料具有更高的介電常數(shù)和較低的介電損耗。以改性后的CCTO作為陶瓷填料,以改性和未改性的EG作為導(dǎo)體填料,分別制備了兩組三元復(fù)合材料。與二元復(fù)合材料相比
4、,三元復(fù)合材料具有更優(yōu)異的介電性能,即具有更高的介電常數(shù)和相對(duì)較低的介電損耗,這是因?yàn)镃CTO與EG在樹脂內(nèi)部的協(xié)同效應(yīng)引起的。與以未改性的EG作為填料的三元復(fù)合材料相比,改性后的EG在CE樹脂中與改性后的CCTO之間的協(xié)同效應(yīng)增強(qiáng),不僅存在物理剪切作用還存在的化學(xué)鍵合作用,以改性后的EG為導(dǎo)體的三元復(fù)合材料具有更高的介電常數(shù)和較低的介電損耗,并且由于填料之間的協(xié)同效應(yīng)的增強(qiáng),改性后的EG在樹脂中的分散性較好,從而導(dǎo)致復(fù)合體系的滲流閾值
5、提高。
其次,本文還研究了TiB2/EP復(fù)合材料的電性能和介電性能。研究結(jié)果表明,復(fù)合材料的滲流閾值為13vol%。通過模擬阻抗,得到了TiB2/EP復(fù)合材料的等效電路,并討論了其本質(zhì)??疾炝瞬煌趸瘯r(shí)間下的On-TiB2的結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明,On-TiB2具有完全不同于TiB2的結(jié)構(gòu),前者表面含有TiO2。而隨著氧化時(shí)間的增加,TiO2的厚度逐漸增大,并逐步完全包覆住TiB2,形成核殼結(jié)構(gòu)。根據(jù)TiB2/EP復(fù)合材料的研究結(jié)
6、果,采用微波固化法設(shè)計(jì)制備了On-TiB2含量為25vol%的復(fù)合材料(On-TiB225/EP),系統(tǒng)研究了On-TiB2氧化時(shí)間對(duì)復(fù)合材料的電性能和介電性能的影響。隨著氧化時(shí)間的增加,On-TiB225/EP復(fù)合材料的介電常數(shù)先升高后下降,20min為最優(yōu)的氧化時(shí)間。在此基礎(chǔ)上,以氧化20min的氧化TiB2(記為O20-TiB2)為導(dǎo)體,設(shè)計(jì)制備了具有不同O20-TiB2含量的復(fù)合材料。與TiB2/EP復(fù)合材料相比,O20-TiB
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