鈦酸銅鈣-聚酰亞胺高介電常數(shù)耐高溫復(fù)合材料的制備及性能研究.pdf

1、電子快速發(fā)展，需要具有高介電常數(shù)的材料，用于制備用埋入式元器件，從而使得集成電路小型化?，F(xiàn)行的無機(jī)和有機(jī)介電材料難以滿足實(shí)際需求。本文設(shè)想通過制備無機(jī)/有機(jī)復(fù)合材料，來解決當(dāng)前對高介電材料的需求。 本文運(yùn)用了不同的方法制備出鈦酸銅鈣（CCTO）粉末填料，再次基礎(chǔ)上，利用具有優(yōu)良的耐熱性能和絕緣性能的聚酰亞胺（PI）材料作為基體，運(yùn)用原位聚合的方法，制備出CCTO/PI復(fù)合薄膜材料。運(yùn)用XRD，F(xiàn)TIR，SEM，TGA，阻抗分析等

2、對復(fù)合材料進(jìn)行相應(yīng)的表征。結(jié)果表明，在1000℃下，利用固相煅燒的方法，產(chǎn)物經(jīng)過球磨之后，能夠制備出用于后續(xù)制備復(fù)合材料的CCTO粉末。在復(fù)合材料之中，CCTO能夠較為均勻的分散在PI基體之中，當(dāng)填料含量達(dá)到40vol％時(shí)，復(fù)合材料的介電常數(shù)在100Hz下達(dá)到60，是基體的17倍。且經(jīng)過KH550改性后，復(fù)合材料的介電常數(shù)得到了進(jìn)一步的提高。復(fù)合材料的電學(xué)性能受到填料含量的影響，在較高的填充含量和較低的填充含量下，表現(xiàn)出來顯著的區(qū)別。T