氮化鎵異質(zhì)結(jié)電子輸運特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、三族氮化物半導(dǎo)體材料因其諸多優(yōu)點，成為了近年來研究的熱點，其中GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)具有廣泛的應(yīng)用前景。本論文的主要研究內(nèi)容是GaN-HEMT中的基本結(jié)構(gòu)——氮化鎵異質(zhì)結(jié)——中二維電子氣的子帶能級、面密度、分布、以及其被散射所限制的遷移率的情況。
　　首先使用自洽求解泊松方程和薛定諤方程的方法分析計算了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中二維電子氣的子帶能帶和電子分布情況，計算中使用了全新的利用肖特基勢壘高度確定費米能級的方

2、法。
　　然后介紹了較為重要的散射機制如界面粗糙散射、合金無序散射、極性光學(xué)聲子散射的處理方法，并利用電子平均熱動能對溫度的依賴關(guān)系，得到了溫度對缺陷散射強度的影響。
　　最后提出了兩種全新的散射機制，表面粗糙散射和界面失配位錯散射，對其做了詳盡的說明和計算，結(jié)果表明它們對電子的散射都有顯著的作用。所使用的處理方法可以適用于氮化鎵異質(zhì)結(jié)以外的其他的異質(zhì)結(jié)體系。
　　本論文的工作對器件設(shè)計和相應(yīng)的實驗工作有很好的指導(dǎo)意義

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