氮化物雙異質結材料優(yōu)化生長及其載流子輸運性質研究.pdf

1、近些年來,為了解決常規(guī)的單異質結構載流子限域性差、漏壓較高時關斷特性差、漏電嚴重的問題,發(fā)展了帶有背勢壘的氮化物HEMT。
　　本文重點圍繞氮化物雙異質結構的性能提升,深入研究了氮化物雙異質結材料的生長、結構優(yōu)化和輸運特性?？蒲谐晒譃橐韵滤膫€部分:
　　1、通過理論計算求解薛定諤/泊松方程,得到了六種雙異質結構材料的能帶結構和載流子分布,并分析了這六種結構的機理及其優(yōu)缺點。
　　2、針對 AlGaN/GaN/AlGa

2、N/GaN,重點分析研究了 GaN溝道層厚度對材料電子輸運、表面形貌的影響規(guī)律,在國際上首次發(fā)現(xiàn)了在不同溫度下使二維電子氣遷移率達到最大存在一個最佳的GaN溝道層厚度,并給出了合理的物理解釋。
　　3、將AlGaN溝道的高擊穿場強與雙異質結構的優(yōu)勢結合,優(yōu)化生長出AlGaN溝道的Al0.4Ga0.6N/Al0.1Ga0.9N/Al0.18Ga0.82N/GaN材料,并與GaN溝道Al0.4Ga0.6N/GaN/Al0.18Ga0.