ZnO微納結(jié)構(gòu)制備及其光電化學(xué)特性研究.pdf

1、本文采用熱蒸發(fā)法、水熱法以及各種方法相配合設(shè)計(jì)制備出各種形貌的ZnO納米結(jié)構(gòu)和微納結(jié)構(gòu)，其中包括在不同厚度的Zn膜襯底上制備出的納米顆粒、梳狀納米結(jié)構(gòu)和納米線，在FTO上生長出球形花狀微納米結(jié)構(gòu)，利用水熱法和絲網(wǎng)印刷結(jié)合的方法制備出的復(fù)合納米結(jié)構(gòu)等等。并且對這些結(jié)構(gòu)的形貌、成分、發(fā)光性能進(jìn)行表征，分析得出的結(jié)果如下：
　　1、FTO基底上的Zn膜厚度對ZnO納米結(jié)構(gòu)生長的影響及其光電化學(xué)性能。
　　FTO襯底上電鍍沉積Zn膜

2、的厚度不同，利用熱蒸發(fā)法在FTO襯底上長出ZnO納米結(jié)構(gòu)的形貌也不同。Zn膜較薄時(shí)，生長出表面帶有花紋的納米顆粒，顆粒之間長有納米絲；ZnO正等厚度時(shí)，生長出一側(cè)是梳狀的納米薄片結(jié)構(gòu)；Zn較厚時(shí)，生長出的結(jié)構(gòu)以納米棒為主，中間夾雜著納米片，并且成分中還具有Zn雜質(zhì)。
　　2、ZnO球形顆粒和納米陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)及其電化學(xué)性能。
　　球形ZnO顆粒和均勻納米陣列的復(fù)合結(jié)構(gòu)與原來的納米陣列相比，XRD衍射圖譜的衍射峰尖銳度削減，說

3、明復(fù)合結(jié)構(gòu)的結(jié)晶度降低了。復(fù)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光譜經(jīng)過高斯擬合后發(fā)現(xiàn)有兩個(gè)峰，分別是紫外峰(388nm)和綠光峰(510nm)。而的納米陣列結(jié)構(gòu)圖譜經(jīng)過高斯擬合后只有一個(gè)綠光峰(510nm)。這是由于復(fù)合結(jié)構(gòu)的缺陷增多，光散射和樣品表面結(jié)構(gòu)的改變等原因造成。復(fù)合結(jié)構(gòu)的表面積提高，染料的吸附率增大，所以相應(yīng)的光吸收提高，從而提高了染料敏化太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。
　　3、球形花狀ZnO微-納分級(jí)結(jié)構(gòu)的制備及其光電化學(xué)性能。
　　采用