金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備加熱系統(tǒng)研究與設(shè)計(jì).pdf

1、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD)是制備金屬氮化物薄膜材料、光電器件、微波器件以及其他新型合成材料的一種技術(shù)。加熱系統(tǒng)能否均勻、快速的加熱襯底決定著外延沉積的質(zhì)量，所以加熱系統(tǒng)是MOCVD設(shè)備重要的組成子系統(tǒng)之一。不同的MOCVD產(chǎn)品都需要一個(gè)與之匹配的加熱系統(tǒng)。
　　本文首先描述了MOCVD設(shè)備在半導(dǎo)體工業(yè)中的廣泛應(yīng)用，對(duì)MOCVD設(shè)備的各個(gè)子

2、系統(tǒng)進(jìn)行介紹，對(duì)比分析現(xiàn)有腔體結(jié)構(gòu)和加熱器結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)，最后選擇電阻片加熱器作為研究對(duì)象。接著介紹對(duì)流傳熱和輻射傳熱等相關(guān)基礎(chǔ)理論，使用有限元方法對(duì)MOCVD設(shè)備加熱器進(jìn)行仿真計(jì)算分析。根據(jù)加熱器的高溫特性，選擇適用于高溫加熱器的各種材料。本文結(jié)合仿真結(jié)果設(shè)計(jì)了三區(qū)式電阻片加熱器，通過(guò)實(shí)際運(yùn)行驗(yàn)證，該設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)大面積石墨盤(pán)區(qū)域進(jìn)行均勻加熱。對(duì)電阻片外形進(jìn)行補(bǔ)償設(shè)計(jì)，解決了電阻片熱變形引起的溫度不均勻和接觸短路問(wèn)題。最后本文仿真計(jì)算