化學(xué)氣相沉積設(shè)備尾氣過(guò)濾系統(tǒng)的研究與分析.pdf

1、第一、二代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進(jìn)步、社會(huì)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)，如今第三代新型半導(dǎo)體材料以SiC、GaN為代表憑借優(yōu)異的性能正在迅速崛起。關(guān)于新型半導(dǎo)體材料的相關(guān)制備工藝是學(xué)術(shù)及工業(yè)界的關(guān)注熱點(diǎn)，與制備工藝密切有關(guān)的化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備的研發(fā)同樣受到重視。由于制備反應(yīng)過(guò)程中復(fù)雜的氣體流動(dòng)及尾氣系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)部壓力的控制直接影響著材料的生長(zhǎng)質(zhì)量、厚度均勻性等，且發(fā)生的復(fù)雜的氣體化學(xué)反應(yīng)及砷、磷等氫化物具有較強(qiáng)的毒性，對(duì)設(shè)備氣路系統(tǒng)尤其是尾氣系統(tǒng)

2、提出了很高的要求。
　　本文首先簡(jiǎn)要介紹了MOCVD設(shè)備在LED半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用，以及設(shè)備整體組成系統(tǒng)。重點(diǎn)介紹了氣路系統(tǒng)及其子系統(tǒng)尾氣系統(tǒng)，結(jié)合氣路工作原理圖，通過(guò)對(duì)尾氣系統(tǒng)工作原理進(jìn)行分析，提出關(guān)鍵技術(shù)：尾氣處理、對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)部壓力有影響的相關(guān)元件選取和設(shè)計(jì)。
　　其次，對(duì)尾氣處理的關(guān)鍵部件--顆粒過(guò)濾器進(jìn)行仿真分析?；谟?jì)算流體力學(xué)（CFD）的基本理論，建立顆粒過(guò)濾器濾芯數(shù)學(xué)模型，分析濾芯內(nèi)部氣體流場(chǎng)分布情況。并在此模