磁激活等離子體增強化學氣相沉積設備的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)法之所以得到廣泛的重視和應用，主要是由于其具有繞鍍性好，系統(tǒng)的結構較簡單，降低反應溫度等優(yōu)點。但是，PECVD中等離子體的密度沿徑向分布均勻性較差、空間氣氛化學活性較差。根據電子發(fā)射理論以及正交電場和磁場對等離子體中帶電粒子的束縛原理，設想在PECVD的基礎上加入電子發(fā)射源和正交電磁場，可以達到控制和約束等離子體中帶電粒子運動的目的，從而可增強等離子場的密度和范圍，使反應場的活力增加，提高了反應空間

2、的活化能力，從而提高膜層質量。 將電子發(fā)射源和磁場裝置成功引入PECVD設備中，構成磁激活PECVD系統(tǒng)。經過調試后，本文分析了磁場、電子發(fā)射源、活化源和離化源相互之間的變化規(guī)律，以及各種參數(shù)對等離子場產生的影響。實驗結果表明，由于電子發(fā)射源和活化源提高了空間電子的數(shù)目及動能，對工作氣體在輝光等離子體場中離化有很好的促進作用，顯著提高了工作氣體的離化率。由于正交電場和磁場對帶電粒子的束縛作用增強，碰撞幾率增加，反應空間的離化率大

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